Толщина - запирающий слой
Cтраница 4
Как и всякая диффузионная теория, диффузионная теории выпрямления и детектирования является законной только в том случае, когда длина свободного пробега диффундирующих частиц во много раз меньше, чем толщина того слоя переменной концентрации, через который происходит движение частиц. Это основное условие не соблюдается при толщине запирающего слоя 10-в см, которая в то же время все еще слишком велика дли туннельного эффекта. [46]
При этом dp-n - dp - apU - Толщина запирающего слоя обычно находится в пределах 0 1 - 1 мкм. Формулы ( 2 - 2) и ( 2 - 3) справедливы для резкого р-п перехода, в котором толщина области перехода от концентрации акцепторов к концентрации доноров много меньше толщины самого запирающего слоя. [47]
 |
Полупроводниковый конденсатор переменной емкости. [48] |
Если его включить в схему, как показано на рис. 7.40, то электроны, находящиеся в n - области, и дырки, находящиеся в р-области, будут уходить из граничного слоя и в зоне, смежной с ним, подвижный заряд будет отсутствовать: между областями с проводимо-стями р - и n - типа образуется запирающий слой, который обладает свойствами диэлектрика. Изменяя величину приложенного постоянного напряжения, можно менять толщину запирающего слоя, что приведет к изменению емкости. [49]
 |
Полупроводниковый конденсатор переменной емкости. [50] |
Если его включить в схему, как показано на рис. 7.40, то электроны, находящиеся в n - области, и дырки, находящиеся в р-области, будут уходить из граничного слоя и в зоне, смежной с ним, подвижный заряд будет отсутствовать: между областями с проводимо-стями р - и - типа образуется запирающий слой, который обладает свойствами диэлектрика. Изменяя величину приложенного постоянного напряжения, можно менять толщину запирающего слоя, что приведет к изменению емкости. [51]
Число пар носителей в этом случае является мерой энергии частицы. Для быстрых частиц ( или больших квантов) обычней толщины запирающего слоя недостаточно для полного поглощения, поэтому энергию таких частиц или квантов в вышеописанных счетчиках измерить нельзя. Этот недостаток устранен в счетчиках с p - i -н-переходом, о которых пойдет речь ниже. [52]
 |
Устройство полупроводниковых фотоэлементов.| Энергетические ( а и вольт. [53] |
Основой кремниевого фотоэлемента служит пластина п - Si толщиной 0 3 - 1 мм, на поверхности которой путем диффузии бора или алюминия создается слой р - Si толщиной 0 4 - 1 мкм. На границе этого слоя с п - Si образуется р-п переход с толщиной запирающего слоя I 0 05 мкм. Контакты со слоем р - Si создаются путем вакуумного напыления пленки титана, защищаемого затем тонкой пленкой серебра. Пленка напыляемого металла полупрозрачна. [54]
Приборы данного типа называют полевыми ( канальными) транзисторами с управляющим p - n - переходом. Работа этих транзисторов основана на модуляции эффективного сечения канала, которую осуществляют изменением толщины запирающего слоя обратно смещенного р-я-перехода. [55]
Модуляция толщины базы в биполярном транзисторе), или эффект Эрли, - изменение толщины базы при изменении значения обратного напряжения, приложенного к коллекторному переходу. При увеличении обратного напряжения электроны в n - области и дырки в р-об-ласти сильнее оттягиваются отр-п-пе-рехода и толщина запирающего слоя возрастает. Распространение границы запирающего слоя в область базы приводит к уменьшению толщины рабочей части базовой области. [56]
В порядке уточнения этого вопроса можно отметить, что теоретически емкость обратно пропорциональна корню из напряжения на запирающем слое при показателе корня от двух до трех в зависимости от распределения атомов примесей, которое, конечно, не равномерно, а в известной мере зависит от технологии изготовления. Напряжение на запирающем слое состоит из суммы абсолютного значения приложенного напряжения и напряжения диффузии, которое определяет толщину запирающего слоя при отсутствии внешнего напряжения. [57]
В этом направлении, называемом пропускным, электрический ток может проходить через контакт металла с полупроводником. Если же вектор Е направлен от полупроводника к металлу, то электроны вытесняются из двойного слоя в глубь полупроводника, увеличивая толщину запирающего слоя и его сопротивление. В этом направлении ток не проходит через контакт. Таким образом, контакт металла с полупроводником обладает односторонней проводимостью и выпрямляет переменные токи. [58]
Емкость такого конденсатора зависит от ширины и толщины запирающего слоя. Для кремниевого прибора возможны емкости до 200 мкф / см2, пробивные напряжения несколько сотен вольт и малые температурные коэффициенты емкости. Так как толщина запирающего слоя меняется в зависимости от приложенного напряжения, то описанное устройство явл яется нелинейным. Это свойство в данном случае приводит к необходимости работы только при малых значениях напряжений. Кроме того, такой конденсатор является поляризованным. [59]
 |
Структура селеновой вы - ниевые - тонкий слой С1 2 мк прямительной пластины. висмута или никеля ( висмут. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5