Толщина - запирающий слой
Cтраница 3
Поскольку вдоль канала потенциал повышается по мере приближения к стоку, то ближе к стоку обратное напряжение п - р-перехода увеличивается и толщина запирающего слоя получается больше. [31]
Пр слой пространственного заряда распространяется на всю базовую область диода до низко-омной подложки, так что дальнейшее увеличение напряжения практически не вызывает изменения толщины запирающего слоя и емкости перехода. [32]
Кроме резких р-п переходов в полупроводниковых приборах широко используются плавные р-п переходы, у которых толщина области плавного перехода концентраций соответствующих примесей сравнима с толщиной запирающего слоя. Отличаясь некоторыми количественными данными, плавные р-п переходы обладают теми же свойствами. Они, как правило, несимметричны. [33]
Кроме резких р-п переходов в полупроводниковых приборах широко используются плавные р-п переходы, у которых толщина области плавного перехода концентраций соответствующих примесей сравнима с толщиной запирающего слоя. Отличаясь некоторыми количествен-1 ными данными, плавные р-п переходы обладают теми жег; свойствами. Они, как правило, несимметричны. [34]
 |
Схематическое изображение полевого ( униполярного транзистора. [35] |
Падение напряжения вдоль длины канала, вызванное протеканием тока, приводит к тому, что р - - переход затвора оказывается смещенным в обратном направлении даже при отсутствии t / з-и - При этом величина напряжения, а следовательно, и толщина запирающего слоя, обедненного носителями заряда, будет больше на стороне стока и минимальна на стороне истока. [36]
Толщина запирающего слоя обычно находится в пределах dp n - 0 1 - М мкм. Формулы ( 2 - 2) и ( 2 - 3) справедливы для резкого р-п перехода, в котором толщина области перехода от концентрации акцепторов к концентрации доноров много меньше толщины самого запирающего слоя. [37]
 |
Образование р-и-перехода.| Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле ( к p - n - переходу приложено обратное напряжение. [38] |
Данный переходный слой, лишенный подвижных носителей заряда и обладающий высоким электрическим сопротивлением, называют запирающим слоем. Толщина запирающего слоя обычно не превышает нескольких микрометров. [39]
Стабилизируемое напряжение зависит от полупроводникового материала, которым обычно является кремний с высокой электропроводностью, и технологии его обработки. Путем изменения толщины запирающего слоя удается получить стабилитроны с напряжением стабилизации 5 - 400 В. [40]
Остается еще рассмотреть обратное влияние изменяющегося коллекторного напряжения на процессы, происходящие в транзисторе. С возрастанием коллекторного напряжения увеличивается толщина запирающего слоя коллектора и ширина базы уменьшается на величину A.W. Это означает сокращение С-участка и уменьшение потерь в зоне базы. Одновременно изменяется входное сопротивление. Если уменьшать коллекторное напряжение, то имеет место обратный процесс. [41]
 |
Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения 6 I. [42] |
В зависимости от площади перехода С6 может быть от единиц до сотен пикофарад. Если обратное напряжение возрастает, то толщина запирающего слоя увеличивается и емкость Сб уменьшается. Как видно, под влиянием напряжения и0бр емкость Се изменяется в несколько раз. [43]
Такое устройство полупроводникового перехода напоминает конденсатор, роль диэлектрика в котором выполняет область запирающего слоя, а роль электродов - области о подвижными носителями противоположных зарядов. Емкость такого конденсатора будет зависеть от толщины запирающего слоя, которая, в свою очередь, может изменяться в зависимости от подводимого к этому елою напряжения. [44]
В пропускном направлении тока дырки из р-области и электроны из л-области движутся навстречу друг другу к плоскости OR, в запирающем - они расходятся от плоскости OR. Таким образом, в переменном поле толщина запирающего слоя то увеличивается, то уменьшается, что обеспечивает преимущественно одностороннюю проводимость выпрямляющей системы. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5