Селективное травление

Cтраница 1

Селективное травление применяют для растворения определенного металла в многослойной пленочной структуре. Мерой селективности служит отношение скоростей растворения разных металлов при одновременном воздействии одного травителя. При этом используется различная адсорбция их к различным металлам, что приводит к избирательному торможению процесса. [1]

Проводят селективное травление пластины с применением фоторезистивной маски, после чего пластину оксидируют ( рис. 3.9 6) и на оксидной пленке наращивают эпитаксиальный слой поликристаллического кремния ( рис. 3.9 г), который применяют в качестве подложки ИМС. В образовавшейся структуре монокристаллические области гг-типа оказываются изолированными друг от друга оксидной пленкой. С помощью планарной технологии в этих участках формируют области базы и эмиттера БТ. [2]

Метод селективного травления - метод получения элементов микросхем, заключающийся в экранировании с помощью контактной маски участков подложки от удаляющего ( травящего) воздействия. [3]

Для селективного травления поверхности остальные участки покрывают парафином или лаком на основе пленкообразующего полимера, стойкого к действию травильного раствора. [4]

Методы селективного травления пленочных микросхем, позволяют получать схемы с резисторами, контактными площадками, проводниками и конденсаторами. [5]

С помощью селективного травления изучались различные металлургические продукты, а нанесение металлических покрытий позволяет определять строение многих биологических объектов. [6]

Показано, что селективное травление является удобным способом определения напряжений и плотности пленок двуокиси кремния [165] и различных типов пленок стекла. Помимо напряжений и пористости, состав пленок стекла также влияет на скорость травления. [7]

Схема двойного селективного травления. [8]

Ввиду того что одинарное селективное травление не позволяет получать коммутации высокой сложности из-за ограничений, накладываемых применением свободных масок, был разработан второй способ - двойное селективное травление. [9]

Первый способ - одинарное селективное травление ( или одинарная фотолитография) - применяют для изготовления ИМС, проводники которых могут быть выполнены с помощью свободных масок; для получения прецизионных и малых резисторов применяют фотолитографию. Сущность этого способа заключается в том, что на подложку напыляют сплошной резистивный слой, а сверху этого слоя через свободную маску - проводники, контактные площадки. Затем наносят фоторезист и производят фотопечать, совмещая с контактными площадками изображения концов резисторов на фотошаблоне. После проявления на заготовке места будущих резисторов остаются защищенными фоторезистом. Для травления незащищенных участков применяют травитель, который хорошо растворяет резистивный слой, но не действует на материал контактных площадок и проводников. После травления образуется готовая схема, содержащая резисторы, проводники и контактные площадки. На рис. 33 показана схема одинарного селективного травления. [10]

Второй способ - двойное селективное травление - был разработан ввиду того, что при одинарном селективном травлении нельзя получить сложные соединения из-за ограничений, накладываемых применением свободных масок. На ситалловую подложку напыляют последовательно три сплошных слоя: резистивный, адгезионный подслой и проводящий слой. На полученную заготовку наносят фоторезист, проводят фотопечать и получают изображение проводников и резисторов. Затем травят в селективном травителе, растворяющем проводящий слой, но не действующим на адгезионный подслой. [11]

Щелевой конденсатор.| Микросоедииения в гибридно-пленочной микросхеме. [12]

Перспективным представляется метод селективного травления верхнего электрода с использованием технологии фотолитографии. [13]

При этом должно происходить селективное травление карбидных частиц, представляющее затруднение в том случае, когда частицы образуют в структуре сплава цепочки, например, по границам зерен. Указанные условия эксплуатации довольно распространены для многих сплавов и сталей, высокая коррозионная стойкость которых основана на способности легко переходить в пассивное состояние. [14]

Периферийная часть структуры эпитакси-ально-планарного транзистора с диффузионным охранным кольцом, сформированным дополнительной диффузией акцепторов.| Часть коллекторного перехода, выходящая на поверхность кристалла кремния, в транзисторе с расширенным базовым электродом ( с металлизацией по оксиду. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5