Селективное травление

Cтраница 2

Структуру транзистора, полученную путем селективного травления, называют мезаструктурой, а транзисторы с мезаструктурой, p - rt - переходы в которой сформированы методами планарной технологии, - мезапланарными. В структуре мезапланарного транзистора остается только плоская часть коллекторного перехода, имеющая значительно большее пробивное напряжение. [16]

Периферийная часть структуры эпитакси-ально-планарного транзистора с диффузионным охранным кольцом, сформированным дополнительной диффузией акцепторов.| Часть коллекторного перехода, выходящая на поверхность кристалла кремния, в транзисторе с расширенным базовым электродом ( с металлизацией по оксиду. [17]

Структуру транзистора, полученную путем селективного травления, называют мезаструктурой, а транзисторы с мезаструктурой, / j - n - переходы в которой сформированы методами планарной технологии, - мезапланарными. В структуре мезапланарного транзистора остается только плоская часть коллекторного перехода, имеющая значительно большее пробивное напряжение. [18]

Наглядным методом обнаружения дислокаций является селективное травление, которое позволяет выявить не только дислокации роста, но и дислокации, появляющиеся в процессе пластической деформации. В ряде случаев удается протравить более крупные микрокристаллы, в частности железные пластинки шириной до 300 мкм и толщиной 15 - - 20 мкм. [19]

Зависимость времени травления от времени отжига пленки. [20]

Для получения тонкопленочных компонентов методом селективного травления с минимальным разбросом ( погрешностью) их параметров необходимо обеспечить равномерное травление по всему рабочему полю подложки. [21]

Схема двойного селективного травления. [22]

На рис. 34 показана схема двойного селективного травления. [23]

Затем с помощью фотолитографии и последующего селективного травления в плавиковой кислоте удаляют оксидную пленку. После этой операции получают ряд участков, не защищенных оксидной пленкой, и диффузионным или эпитаксиальным методами образуют на незащищенной поверхности базовый р-п-переход. Эмиттерную область создают аналогично с помощью фотолитографии. [24]

Схема построения трехмерного блока фирмы Bunker-Ramo.| Схема процесса изготовления коаксиальной линии связи. [25]

Оба типа соединительных элементов образуют селективным травлением подложки из бериллиевой бронзы и последующим заполнением полученных углублений диэлектриком на основе эпоксидной смолы. [26]

Распределение затрат по операциям процесса. [27]

Качество этого процесса определяет возможность проведения операции селективного травления, металлизации. [28]

После вторичного нанесения фоторезиста процесс проходит аналогично способу одинарного селективного травления. [29]

В настоящее время применяют два способа изготовления ИМС селективным травлением. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5