Селективное травление

Cтраница 5

Полупроводниковая интегральная микросхема на сапфировой. [61]

Такой метод применяется в связи с тем, что непосредственное травление хрома затруднительно. Для создания контактов на всю поверхность напыляется алюминий и проводится селективное травление его. Алюминий служит верхним электродом конденсаторов, контактом к нихромовым резисторам и соединяет все элементы. [62]

Структура планарно-эпи-таксиального транзистора. [63]

Нужный рисунок получают фотолитографической обработкой поверхности с помощью шаблона и последующим селективным травлением алюминия, удаляющим металлический слой с соответствующих участков. [64]

Подтверждением того, что указанные ямки травления имеют дислокационную природу, являются следующие факты. Во-вторых, глубина распространения их от поверхности скола, выявленная методами чередующейся полировки и селективного травления, достигает в ряде случаев 5 мкм. Кроме того, картина расположения ямок на обоих плоскостях скола абсолютно подобна. При отжиге такой структуры наблюдается исчезновение большинства ямок травления, вероятно, вследствие выхода дислокаций на свободную поверхность кристалла. [65]

Тонкопленочные схемы образуются при осаждении на стеклянную или керамическую пластины специфических рисунков металлической и диэлектрической пленки посредством вакуумного напыления, катодного распыления или химическим способом. Рисунки могут быть образованы посредством осаждения через маски или посредством осаждения сплошного листа с последующим селективным травлением. [66]

Страницы: 1 2 3 4 5