Селективное травление

Cтраница 3

Экспериментально установлено, что наиболее качественная обработка поверхности и селективное травление ИАГ происходят в расплаве эвтектической смеси компонентов Y2O3 и Al2O3 при температурах 2103 - 2173 К. Время травления - от 5 с до 2 мин. Через 2 мин стержень со скоростью 70 мм / мин извлечен из расплава. На длине 1 4 см сечение стержня линейно изменилось от исходного до 0 36X0 36 см. Скорость травления составила 0 45 мм / мин; травление происходило равномерно по всей длине стержня. Ямки травления имеют симметрию 4-го порядка. Таким же способом может быть выявлен и другой дефект, называемый гофрировкой соответствующей полосчатости, образование которой обусловливается кристаллизационным переохлаждением. [31]

Экспериментально установлено, что наиболее качественная обработка поверхности и селективное травление ИАГ происходят в расплаве эвтектической смеси компонентов Y2O3 и А12Оз при температурах 2103 - 2173 К. Время травления - от 5 с до 2 мин. Через 2 мин стержень со скоростью 70 мм / мин извлечен из расплава. На длине 1 4 см сечение стержня линейно изменилось от исходного до 0 36X0 36 см. Скорость травления составила 0 45 мм / мин; травление происходило равномерно по всей длине стержня. Ямки травления имеют симметрию 4-го порядка. Таким же способом может быть выявлен и другой дефект, называемый гофрировкой соответствующей полосчатости, образование которой обусловливается кристаллизационным переохлаждением. [32]

Схема одинарного селективного травления. [33]

В настоящее время промышленностью применяются два способа изготовления ИМС селективным травлением. [34]

Принцип негативных и позитивных светочувствительных слоев. [35]

Полученный таким образом рельеф ( контактная маска) служит затем защитным слоем при селективном травлении или металлизации поверхности подложки в открытых местах, что дает возможность перенести рельефное изображение на подложку. Степень соответствия элементов изображения имеющимся на шаблоне, использованном при экспонировании, служит мерой качества литографического процесса в целом. [36]

Второй способ - двойное селективное травление - был разработан ввиду того, что при одинарном селективном травлении нельзя получить сложные соединения из-за ограничений, накладываемых применением свободных масок. На ситалловую подложку напыляют последовательно три сплошных слоя: резистивный, адгезионный подслой и проводящий слой. На полученную заготовку наносят фоторезист, проводят фотопечать и получают изображение проводников и резисторов. Затем травят в селективном травителе, растворяющем проводящий слой, но не действующим на адгезионный подслой. [37]

Сигал и др. [62] представили в виде таблиц потенциалы, которые могут быть использованы для селективного травления различных фаз для нескольких нержавеющих сталей. Десестрет [64, 65] предпочитает различные уровни потенциалов в зависимости от содержания в сталях хрома. Он сделал вывод, что потенциоста-тическое травление более чувствительно при определении сопротивления МКК, чем химические испытания или в кипящей азотной кислоте, или в кислом растворе сульфата меди. [38]

Применяется метод изоляции элементов интегральных схем путем заполнения изоляционным материалом промежутков между островками, полученных селективным травлением. Для этого к поверхности готовых приборов прикрепляют стеклянную поддерживающую пластинку. Путем избирательного травления уменьшают толщину п - слоя и создают изолированные островки с приборами. Пустые промежутки между островками заполняют керамическим связующим составом. [39]

Для того чтобы удалить, там где это нужно, пленку двуокиси кремния, необходимо осуществить ее селективное травление. Один из вариантов этой обработки проводится по следующей схеме. На пластину полупроводника, покрытую пленкой окисла, наносится слой фоторезиста - специального фоточувствительного вещества. Затем участки этого слоя, которые должны защитить окисную пленку, освещаются пучком ультрафиолетовых лучей, в результате чего уменьшается их растворимость и увеличивается химическая стойкость. В остальных местах фоторезист удаляется и на обнаженных от резиста участках пленка окисла может быть стравлена. В ряде случаев фотолитография используется не только для локального удаления окисной пленки, но и для защиты при травлении самого полупроводника. Маскировка пленкой двуокиси кремния и процесс фотолитографической обработки используются как для селективной диффузии, так и для селективной металлизации контактных областей в транзисторных структурах. [40]

Основным достоинством метода раздельного осаждения является высокая точность получения конфигурации элементов, поскольку совмещение масок с подложками или селективное травление пленки производится на воз духе. При этом обеспечивается хорошая возможность пооперационного контроля и исключается испарение в одной камере различных ( часто несовместимых) материалов. [41]

Схема расположения субмодулей на гибкой печатной панели. [42]

Для сопротивлений используется металлическая пленка с удельным сопротивлением 500 ом / см2, необходимая геометрия которой обеспечивается за счет селективного травления. Проводящее покрытие наносится на подложку испарением в вакууме сплава золота с хромом через металлическую маску. [43]

Элоктронограмма многослоГшой структуры. [44]

Перед микрофотографированием поверхности сколов образцы обрабатывались в течение нескольких секунд в травителе Сиртла, Этот травитель обладает ярко выраженными свойствами селективного травления кремния в зависимости от совершенства структуры, а также от концентрации основных легирующих примесей. Скорость травления растет с увеличением концентрации. Области р-типа проводимости, легированные бором, обладают более высокой скоростью травления по сравнению с га-типом. На областях р-типа образуются углубления, и при рассмотрении под микроскопом они выглядят более темными. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5