Селективное травление

Cтраница 4

На практике чаще всего используют рентгеновские методы, а для оперативного контроля - визуальный просмотр под микроскопом поверхности подложки, подвергнутой селективному травлению. В последнее время для контроля глубины нарушенного слоя поверхности подложек полупроводников начали широко применять методы эллипсомет-рии с использованием эллипсометрических микроскопов. Для этой же цели применяют лазерные телевизионные ин: терферометры, применяемые для контроля плоскостности поверхности подложек. Следует иметь в виду, что результаты значения глубины нарушенного поверхностного слоя, полученные различными методами, сильно различаются в зависимости от характера подготовки образца к измерению. [46]

Микроступени, наблюдаемые на пологих холмиках, показанных на 2.| Пример ошибочного роста на грани 111 ]. [47]

Кроме того, при высокой температуре единственный центр каждой замкнутой ступени располагается в центре округлой площадки, хотя последняя создается искусственно - селективным травлением подложки. При пониженных температурах центры этих ступеней становятся размытыми, но их распределение кажется почти однородным. [48]

Ввиду того что одинарное селективное травление не позволяет получать коммутации высокой сложности из-за ограничений, накладываемых применением свободных масок, был разработан второй способ - двойное селективное травление. [49]

Подложка может быть и диэлектрической ( стекло, ситалл, керамика) с нанесенными на ее поверхность слоями того или иного материала, из которого методами контактной маски, селективного травления или наращивания формируются пленочные компоненты. [50]

Схема фотонаборной установки. [51]

Для получения заданной конфигурации ( рисунка) компонентов ИМС и межсоединений применяют ряд методов, из которых наибольшее распространение получили методы свободной ( или механической) маски, контактной маски и селективного травления. [52]

Оптические решетки с субмикронным разрешением ( - 0 35 мкм) на основе As2S3 получены и в работе [998] после фотодиффузии серебра под действием монохроматического пучка в видимой области спектра с использованием явления интерференции и последующим селективным травлением. [53]

Для получения монокристаллических пленок ВаТЮ3 толщиной до 1 5 мк и площадью 1x2 мм Ласт [22] предлагает травление монокристаллов ВаТЮ3 толщиной около 100 мк фосфорной кислотой, нагретой выше температуры Кюри титаната бария, с тем, чтобы предотвратить селективное травление доменов. В кубической фазе при 130 С травление протекает очень гладко со скоростью примерно один микрон в минуту. [54]

Распределение примесей в р-п - р структуре, полученной методом двусторонней диффузии. [55]

Возможность создания невыпрямляющего базового контакта для структур, полученных двойной односторонней диффузией, достигается теми же путями, что и для диффузионных структур с двусторонней дифузией: вплавлением электрода, содержащего добавку того же типа, что и базовая примесь, селективным травлением и селективной диффузией. [56]

Особый интерес среди полиблочных сополимеров представляют сополимеры тетраметиленсилфенилена и диметилсилоксана. С помощью селективного травления фтористоводородной кислотой удалось показать [ НО, 117 ], что закристаллизованные из раствора образцы со держат кристаллические последовательности тетраметил-п-силфенилена, составленные из 8 - 9 повторяющихся звеньев. Более длинные последовательности кристаллизуются со складыванием цепей, а более короткие находятся в аморфных областях, образованных диметилсилокса-новыми блоками. [57]

Поэтому для повышения скорости селективного травления часто рекомендуется использовать подогрев. Хотя процессы диффузии также ускоряются нагреванием, но влияние температуры на скорость химических процессов значительно больше и поэтому травитель остается селективным и при более высокой температуре. [58]

После экспонирования слоя фоторезиста, покрывающего кремниевую пластину, рисунок с фоторезиста переносят наслои БЮг и Si3N4, сформированные на этой пластине. Для этого слой фоторезиста проявляют и проводят селективное травление слоев Si02 и SisISU в соответствии с полученным рисунком. Методами влажного травления водными растворами проводят травление рисунков с размерами элементов до 3 мкм. Поскольку слои S1O2 и Si3N4 являются аморфными, то травление происходит равномерно во всех направлениях, распространяясь и под защитную пленку фоторезиста. Этот процесс называется под-травливанием. В результате подтравливания трудно получить высокую точность переноса рисунка. Величина подтравливания обычно соизмерима с толщиной слоев Si02 и Si3N4 и составляет 0 1 - 0 5 мкм. При ширине линий рисунка 10 мкм относительная ошибка переноса рисунка в результате подтравливания невелика. Очевидно, что если ширина линий приближается к 1 мкм, то ошибка переноса достигает недопустимой величины. [59]

Проводят вторую фотолитографию, аналогичную первой. На рис. 10 - 22 показана схема двойного селективного травления. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5