Многоэмиттерной транзистор

Cтраница 1

Элемент И-ИЛИ-НЕ на интегральных схемах класса ТТЛ ( а и его условное обозначение ( б. [1]

Многоэмиттерные транзисторы используются и в другой схеме, приведенной на рис. 2.12. Эта схема относится к классу ТТЛ и реализует операцию И-ИЛИ: НЕ. [2]

Многоэмиттерные транзисторы легко реализуются в интегральной технологии. Они являются основой ТТЛ-элементов. Если на всех входах ( эмиттерах транзистора VT1) действует 1 ( высокий потенциал), то все переходы эмиттер-база транзистора VT1 закрыты. [3]

Многоэмиттерные транзисторы Т is и Г [ 9 используют также для блокировки соответствующего выхрда ИКН. При этом на блокируемом выходе устанавливается высокий потенциал C / gbIX независимо от разности сигналов на входах ИКН. [4]

Мощные многоэмиттерные транзисторы - кремниевые, в большинстве случаев п-р-п-типа. [5]

Подобно многоэмиттерным транзисторам применяются многоколлекторные транзисторы. [6]

Многоэмиттерный транзистор ( я и логическая схема ТТЛ-типа на его. [7]

Применение многоэмиттерных транзисторов и логических устройств ТТЛ-типа позволяет минимизировать число элементов, составляющих интегральную схему. [8]

Кроме многоэмиттерного транзистора 7 имеются еще три транзистора 77 - ТЗ, диод и резисторы. Если хотя бы на одном из входов имеется логический сигнал х О, то весь ток базы транзистора 7 протекает через открытый переход эмиттер - база. Его коллекторный ток незначителен, напряжение на базе транзистора 77 низкое, значит ТI и ТЗ заперты. [9]

Использование многоэмиттерного транзистора позволяет микро-ми ни атюризировать каскад И. [10]

Использование многоэмиттерного транзистора позволяет микро-миниатюризировать каскад И. [11]

Использование многоэмиттерного транзистора специфично для интегрального исполнения логических элементов и позволяет повысить быстродействие элементов вследствие того, что их переключение происходит не через пассивные компоненты входных цепей, а через активные. В схеме 1 и 0 соответствуют положительные сигналы высокого и низкого уровня. [12]

Частотные свойства многоэмиттерного транзистора определяются, в первую очередь, временем переноса заряда от эмиттера к коллектору тэк. [13]

Основное отличие многоэмиттерного транзистора от обычных транзисторов заключается в том, что он имеет т эмиттеров, объединенных одним слоем базы. Эти эмиттеры располагаются так, что прямое взаимодействие между ними отсутствует. Поэтому много-эмиттерный транзистор Гм эквивалентен транзисторным структурам, имеющим общий коллектор и взаимодействующих друг с другом только за счет движения основных носителей. [14]

Принципиальные схемы, структуры и диаграммы распределения зарядов неосновных носителей в пяти вариантах диодных включений переходов транзистора ИС. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5