Многоэмиттерной транзистор

Cтраница 4

Следует обратить внимание, что в многоэмиттерном транзисторе работающий эмиттер вместе с базой и другим, соседним эмиттером образует паразитный транзистор. [46]

ТТЛ и ТТЛШ - выполнены на биполярных многоэмиттерных транзисторах, последние, помимо этого, включают диоды Шотки. [47]

В) обеспечивается применением смещающих диодов или многоэмиттерного транзистора. Помехоустойчивость этих схем по отношению к запирающей помехе может быть повышена до любых значений выбором достаточно большого значения Ек. [48]

В ЭФЛ операция И выполняется путем включения многоэмиттерного транзистора на входе логического элемента. Для эмиттеров выходных транзисторов возможно соединение Монтажное ИЛИ. Поскольку операция НЕ не может быть реализована с использованием только ЭФЛ, приходится применять комбинированные схемы. Например, комбинация схемы ЭФЛ при транзисторно-последовательном соединении с многоуровневой схемой ЭСЛ позволяет получить логическую структуру, обладающую лучшими ( по сравнению с обычными схемами ЭФЛ и транзисторно-последовательными схемами ЭСЛ) характеристиками, такими как быстродействие, произведение временной задержки на мощность и занимаемая площадь. [49]

Инверсный коэффициент усиления по току Ви у многоэмиттерного транзистора мал ( В - 0 1), поэтому через эмиттеры текут незначительные токи. [50]

Комплекс элементов транзисторно-транзисторной логики построен на основе использования многоэмиттерного транзистора, понятие о котором дается в § 4.4. Входами схемы ( рис. 12.19, г) являются эмиттеры транзистора Тм, с помощью которого реализуется логическая функция И. При подаче на все входы схемы положительных уровней напряжения ( соответствующих логической единице) через коллекторный переход транзистора Тм в базу транзистора Т1 течет ток. [51]

В коммутирующих ячейках ЦАП используются токовые переключатели на многоэмиттерных транзисторах. Таковые переключатели первого и второго ЦАП рассчитаны на токи 1; 0 5; 0 25; 0 125мА, а третий ЦАП имеет токи в два раза меньше. Он определяет основную погрешность ЦАП. Шаг квантования первого ЦАП соответствует токовому диапазону второго, а квант второго ЦАП соответствует токовому диапазону третьего ЦАП. [52]

На рис. 9.13 приведена структура ИС ПЗУ на многоэмиттерном транзисторе. При возбуждении одной из ША отпирается транзистор, база которого присоединена к этой шине. Благодаря этому возбуждаются те разрядные шины, к которым присоединены эмиттеры этого транзистора. [53]

В качестве весовых источников тока целесообразно использовать вместо резисторов многоэмиттерные транзисторы. Число эмиттеров определяет относительный вес входа. [54]

Элемент ТТЛ. [55]

На рис. 4.30 представлен элемент ТТЛ, выполненный на многоэмиттерном транзисторе и реализующий логическую функцию И-НЕ. [56]

Схемы расширителей по ИЛИ для элементов ДТЛ-типа.| Схемы функциональная ( а и принципиальная ( б с повышенной помехозащищенностью на элементах ТТЛ-типа ( показаны только работающие компоненты. [57]

Так как в элементах ТТЛ-типа операция И реализуется с помощью многоэмиттерного транзистора, то увеличить количество соответствующих входов внешним монтажом нельзя. [58]

При моделировании этих схем на ЭВМ могут быть использованы эквивалентные схемы многоэмиттерного транзистора, каждый из которых представляется совокупностью стольких транзисторных структур ( рис. 2.40), сколько эмиттеров в многоэмиттерном транзисторе. На рис. 2.41, а приведена топология четырехэмиттерного транзистора, а на рис. 2.41 6-его эквивалентная схема, где источник тока 1д и емкость Сд моделируют часть перехода коллектор-база в пассивной зоне базы. [59]

Значительный эффект на первых уровнях соединений в масштабе БИС дает применение многоэмиттерных транзисторов вместо диодов и транзисторов. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5