Многоэмиттерной транзистор

Cтраница 3

Активные сопротивления входных цепей многоэмиттерного транзистора и паразитные емкости входов значительно меньше, чем у диодов ДТЛ ИС. Таким образом, постоянные времени цепей входа в ТТЛ ИС обеспечивают существенное повышение быстродействия в выполнении логических операций. [31]

Определена входная вольтамперная характеристика многоэмиттерного транзистора на основе эквивалентной схемы. Показано, что входная характеристика каждого перехода зависит от режима работы всех остальных эмиттерных переходов. [32]

Неиспользуемые входы одной ячейки многоэмиттерного транзистора рекомендуется объединять с одним из используемых входов или подключать к источнику питания через резистор с сопротивлением 1 кОм 10 %; при этом к одному резистору можно подключить до 20 свободных входов. [33]

Если на все входы многоэмиттерного транзистора МТ поданы положительные сигналы, то ток через его базовый резистор RI течет в базу транзистора Т2, а затем усиленный ток из эмиттера Т2 течет в базу выходного инвертирующего транзистора Т5, открывая его. При этом транзистор Т3 оказывается закрытым. [34]

Схема типового клапана PET Л.| Схема типового клапана ( И-ИЛИ-НЕ. [35]

Если на все входы многоэмиттерного транзистора MTj поданы положительные сигналы, то ток через его базовый резистор Rt проходит в базу транзистора Г2, а затем усиленный ток из эмиттера проходит в базу выходного инвертирующего транзистора Т5, открывая его. При этом транзистор Та оказывается закрытым. [36]

Интегральные логические элементы с входным многоэмиттерным транзистором имеют следующие типовые параметры: Е ( 5 0 5) Б; Р 30 мВт; I / Lxmax 0 3 В; Ulaxm - m 2 3 В; / вттах 18 мА; выттах 15 мА; п 10; т 8; tf ж 40 не. [37]

Кроме того, в многоэмиттерных транзисторах были внесены изменения в структуру базовой области, позволившие значительно уменьшить сопротивление пассивной базы и, следовательно, входное сопротивление, что также существенно улучшило работу этих приборов на высоких частотах. [38]

Схема типа ТТЛ с простым инвертором.| Схема типа ТТЛ со сложным инвертором и логическим расширителем. [39]

Схема логического расширителя построена на многоэмиттерном транзисторе и в принципе работает аналогично основной схеме ТТЛ. [40]

Вместо диодов в настоящее время используются многоэмиттерные транзисторы. [41]

В схеме рис. 4.21 коллекторный переход многоэмиттерного транзистора 7 всегда смещен в прямом направлении. [42]

Многоэмиттерный транзистор ( а. логический элемент на его основе ( б и условное графическое обозначение ( в. [43]

Базовый ТТЛ-элемент построен на основе использования многоэмиттерного транзистора. Логические элементы образуются соединением многоэмиттерного транзистора с простым или составным транзисторным инвертором. На рис. 6.6 6 показана схема простейшего элемента на многоэмиттерном транзисторе. Транзистор VT открыт и насыщен базовым током / Еь являющимся коллекторным током / к и ограничиваемым резистором RB - Многоэмиттерный транзистор работает при этой комбинации входных сигналов в инверсном включении. Таким образом, эмиттерные переходы МТ выполняют функцию диодов и реализуют для положительной логики функцию И. Практические схемы ТТЛ-инверторов отличаются от рассмотренной выше тем, что для повышения помехоустойчивости и нагрузочной способности в них включаются дополнительные элементы. [44]

Если же на один из входов многоэмиттерного транзистора TI поступит сигнал низкого уровня, соответствующий логическому 0, то транзисторы TI, T % и T закроются, а транзистор Т3 откроется. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5