Многоэмиттерной транзистор

Cтраница 2

Сокращение размеров многоэмиттерного транзистора ограничивается возникновением боковой инжекции между соседними эмиттерами. Две га-области эмиттеров с расположенной между ними / 7-областью базы образуют паразитный горизонтальный п-р - п транзистор. Уменьшение паразитной связи между эмиттерами достигается за счет увеличения расстояния между ними. Другой способ уменьшения коэффициента усиления паразитного горизонтального транзистора заключается в уменьшении времени жизчи носителей в области базы. Это достигается легированием р-области базы золотом. [16]

Рассмотрим работу многоэмиттерного транзистора в логическом элементе И. Имеется некоторая аналогия между схемой И, выполненной на диодах в диодно-транзисторном элементе И - НЕ ( см. рис. 4.20), и схемой И, выполненной на МЭТ: эмиттерные переходы МЭТ выполняют функции Дг и Д2 в схеме рис. 4.20, коллекторный переход можно рассматривать как смещающие диоды Д3 - Д4 дандюй схемы. Однако явление диффузии в базе МЭТ приводит к появлению новых, по сравнению с диодной сборкой, явлений. [17]

Рассмотрим работу многоэмиттерного транзистора в логическом элементе И. В данной схеме коллекторный переход транзистора всегда включен в прямом направлении. В уровень логической 1 на входах соответствует напряжению 2 3 - н2 5 В. В этом случае через резистор и коллекторный переход транзистора Ti течет прямой ток. [18]

Схемы с многоэмиттерными транзисторами ( рис. 8.12) имеют время переключения 5 - 20 нсек при потребляемой мощности 30 - 40 мет. [19]

Разработка технологии изготовления многоэмиттерного транзистора привела к созданию транзисторно-транзисторных логических схем ( ТТЛ), которые состоят из схемы И, построенной на основе многоэмиттерного транзистора, и транзисторного инвертора. [20]

Распределение токов в элементе И - НЕ с простым инвертором. [21]

Все транзисторные структуры многоэмиттерного транзистора находятся в этом случае в инверсном активном режиме, так как их коллекторные переходы смещены в прямом направлении, а эмиттерные - в обратном. Когда на один из входов многоэмиттерного транзистора будет подан сигнал О ( i / вых), соответствующий переход база - эмиттер многоэмиттерного транзистора сместится в прямом направлении. Ток, задаваемый в его базу через резистор R, проходит в цепь этого эмиттера. [22]

Если коллекторный переход многоэмиттерного транзистора смещен в обратном направлении, а каждый из п эмиттеров, за исключением / - го, заперт, то коллекторный ток создается только этим / - м эмиттером. Если коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерные переходы закрыты, то многоэмиттерный транзистор работает в инверсном режиме. Диффузия неосновных носителей заряда в базе идет от коллектора к запертым эмиттерам. Продиффундировавшие через базу носители заряда распределяются между эмиттерами транзистора. Коэффициент передачи по току для / - го эмиттера имеет значение B / i. Если все п эмиттерных переходов смещены в прямом направлении, то коэффициент передачи равен В. [23]

Этапы развития элементов ТТЛ-типа. [24]

ДТЛ-типа с таким многоэмиттерным транзистором ( МЭТ) показана на рис. 3.12, г. Устранив перемычку база-коллектор, можно использовать в качестве одного из диодов смещения переход база - коллектор МЭТ, тем самым снизив паразитную емкость узловой точки-базы МЭТ. [25]

Элемент памяти на биполярных транзисторах.| Элемент памяти на КМДП-структурах. [26]

Пример ЭП на многоэмиттерных транзисторах приведен на рис. 5.10. По адресным шинам X, и YJ, с которыми соединены эмиттеры 2 - 5, поступают сигналы, определяющие режим ЭП: запись в триггер, считывание с его выходов или хранение информации. Режим хранения обеспечивается при поступлении сигналов нулевого уровня на обе адресные шины или. [27]

Неиспользуемые входы одной ячейки многоэмиттерного транзистора рекомендуется объединять с одним из используемых входов или подключать к источнику питания через резистор с сопротивлением 1 кОм 10 %; при этом к одному резистору можно подключить до 20 свободных входов. [28]

Схема логического элемента 2И - НЕ ( а. представление транзистора VTI в виде трех диодов ( б. [29]

Во-вторых, благодаря применению многоэмиттерного транзистора удается повысить быстродействие и помехоустойчивость элемента. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5