Cтраница 5
Рассмотрено остаточное напряжение коллектора по отношению к ( - му эмиттеру многоэмиттерного транзистора в режиме насыщения. Показано, что в зависимости от числа эмиттеров, смещенных в прямом направлении, остаточное напряжение может принимать разные значения. [61]
Наиболее совершенными являются многоструктурные мощные транзисторы, изготовленные в виде нескольких мощных многоэмиттерных транзисторов на одной пластинке полупроводника. Такая конструкция позволяет улучшить теплоотвод, так как тепловые потоки от отдельных разнесенных достаточно далеко структур не перекрываются. [62]