Многоэмиттерный транзистор

Cтраница 1

Многоэмиттерный транзистор Т1 находится в инверсном режиме включения. В силу этого транзистор Т3 надежно закрыт и находится в режиме отсечки. Насыщенный транзистор Т4, представляя собой в этом режиме эквипотенциальную точку, подсоединяет узел С схемы к заземленной точке D, закорачивая тем самым сопротивление нагрузки RH. [1]

Функцио - [ IMAGE ] - 16. Элемент ТТЛ. [2]

Многоэмиттерный транзистор повышает быстродействие схемы ТТЛ за счет малой входной емкостной нагрузки и низкого входного сопротивления. Выходные усилители ТТЛ-схем позволяют увеличить нагрузочную способность схем и обеспечить их функциональную логическую сложность. [3]

Распределение токов в элементе И - НЕ с простым инвертором. [4]

Многоэмиттерный транзистор представляет собой совокупность нескольких транзисторных структур, имеющих общий коллектор и непосредственно взаимодействующих друг с другом только за счет движения основных носителей заряда. [5]

ТОЭ-ЭП с эмиттерными связями. а - принципиальная схема, б - разрядная ВАХ ЭП. [6]

Многоэмиттерный транзистор ( МЭТ) эффективно используется в схемах на основе ключей на ТОЭ и на основе СТ-ключей. В этих схемах ключ на МЭТ выполняет не только функцию инверсии в ячейке хранения, но и операцию И при записи и считывании. [7]

Многоэмиттерный транзистор VTM выполняет функцию И, а транзистор VTI - функцию НЕ. Выходной каскад, выполненный на транзисторах VT2 и VT3, позволяет получить большие значения как втекающего IOL -, так и вытекающего / он токов. Если транзистор VT3 закрыт, то открыт транзистор VT2, представляя собой эмиттерный повторитель. Выход с описанным соединением двух транзисторов называется каскадным ( totem-pole) или стандартным выходом. Диоды, включенные между входными и общим выводами, обеспечивают защиту ЛЭ при подаче на его входы отрицательного напряжения. [8]

Схема ДТЛ со сложным инвер - Рио. Схема ТТЛ тором. [9]

Конструктивно многоэмиттерный транзистор выполняют так, чтобы толщина пассивной базы была намного меньше расстояния лгежду эмиттерами; поэтому большая часть неосновных носителей, инжектируемых в базу, не доходит до соседнего эмиттера, а улавливается коллектором. При прямом смещении одного из эмиттерных переходов неосновные носители попадают в коллектор и смещают его в прямом направлении. Открытый коллекторный переход инжектирует неосновные носители в базу под закрытым эмиттером, который коллектирует электроны, инжектированные коллектором. [10]

Каждый многоэмиттерный транзистор служит для хранения одного 4-разрядного слова. В каждой эмиттерной цепи транзистора находится плавкая перемычка. Напряжение питания подается на коллектор. Слово выбирается с помощью дешифратора, выходы которого подключены в АШ. [11]

Создается многоэмиттерный транзистор одновременно с другими элементами схемы; поэтому параметры областей коллектора, базы и эмиттера у него те же, что и у обычного п-р - п транзистора: один и тот же концентрационный профиль, одинаковые удельные емкости и пробивные напряжения переходов. [12]

Как устроен многоэмиттерный транзистор. [13]

Многоэмиттерный транзистор.| Основной логический элемент ТТЛ. [14]

В данной схеме многоэмиттерный транзистор 77 открывается при наличии логического нуля хотя бьг на одном из его эмиттеров. При этом транзистор Т2 закрывается, так как потенциал его базы уменьшается. Все напряжение источника питания - - Е будет падать на большом сопротивлении: закрытого транзистора Т2, в результате чего напряжение на базе транзистора Т4 снизится и этот транзистор также закрывается. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5