Многоэмиттерный транзистор
Cтраница 2
На выходе включен многоэмиттерный транзистор. [16]
 |
Многоэмиттерный транзистор. а - физическая структура. б. [17] |
В зависимости от сигналов на входе многоэмиттерный транзистор работает в прямом ( нормальном) либо в инверсном ( обращенном) включении. Многоэмиттерный транзистор имеет существенное различие в коэффициентах передачи тока в обоих режимах. Сделано это для обеспечения оптимальных условий работы. [18]
В сравнении с ДТЛ в схеме ТТЛ многоэмиттерный транзистор заменяет m входных диодов и один смещающий диод и занимает меньшую площадь на кристалле. Кроме того, исключается резистор R4 ( см. рис. 8 - 21), занимающий большую площадь. [19]
 |
Структура транзистора с базовой изолирующей диффузией. [20] |
Кроме того, структура дает возможность создать многоэмиттерный транзистор, диоды Шот-ки, n - p - n - транзистор с коллекторным р-п-пере-ходом, шунтированным ДШ, и другие элементы ИМС. [21]
В биполярных интегральных схемах довольно распространенным компонентом является многоэмиттерный транзистор. Одна из возможных конфигураций такого транзистора изображена на рис. 9, а. На рис. 9, б для примера дана эквивалентная схема двухэмиттерного транзистора на основе эквивалентной схемы рис. 5, в. Для простоты на нем не показаны элементы, отражающие наличие изолирующего перехода, и опущены ветви сопротивлений утечек. [22]
При подведении нулевого потенциала хотя бы к одному входу схемы многоэмиттерный транзистор насыщается и на вход инвертора, состоящего из трех одноэмиттерных транзисторов, подается нулевой потенциал. [23]
 |
Сигналы на входе и выходе логического элемента НЕ. [24] |
В ИМС, выполненных по технологии ТТЛ, в качестве базового элемента используется многоэмиттерный транзистор. Упрощенная схема логического элемента И-НЕ с многоэмиттерным транзистором VTI приведена на рис. 12.2. Многоэмиттерный транзистор ( МЭТ) отличается от обычного транзистора тем, что он имеет несколько эмиттеров, расположенных так, что прямое взаимодействие между ними исключается. [25]
При 0 ывх ( Л ( область /) входное напряжение мало, и многоэмиттерный транзистор 7 ( см. рис. 4.21) насыщен, а транзистор Т2 - заперт. Транзистор Т2 отопрется и перейдет в активный режим, появятся эмиттерный и коллекторный токи. При дальнейшем увеличении ывх напряжение иэ2 1э2Кз начинает возрастать, а напряжение и 2 Е - iKzRz снижаться. Так как номиналы резисторов RZ и Rs близки, а токи iH2 и га2 транзистора Т2, работающего в активном режиме, отличаются несущественно, то приращения напряжений ы 2 и ыэ2 по абсолютному значению примерно одинаковы. [26]
 |
Диодно-транзисторная схема с многоэмиттерным транзистором на входе. [27] |
При использовании на входе много-эмиттерного транзистора применять сопротивление смещения см нет необходимости, поскольку многоэмиттерный транзистор создает при выключении выходного транзистора низкоом-ную цепь коллектор-эмиттер, за счет чего время рассасывания существенно уменьшается. [28]
 |
Логические элементы ИЛИ-НЕ ( а, И-НЕ ( б.| Логический элемент И-НЕ ТТЛ-логики. [29] |
Схема трехвходового элемента И-НЕ приведена на рис. 4.5. В нем использован на входе полупроводниковый прибор - многоэмиттерный транзистор VI. Транзисторы VI и V2 образуют схему И-НЕ, на транзисторах V3 и V4 собран неинвертирующий выходной каскад, служащий для усиления мощности выходного сигнала. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5