Cтраница 5
Эта логика не имеет аналогов в дискретном исполнении и является новым направлением, которое способствует миниатюризации цифровых приборов. В основе построения микросхем на И2Л используется базовая структура, состоящая из комплементарной пары биполярных транзисторов. Транзистор p - n - р работает в режиме источника тока ( выполняет функции инжектора носителей заряда), а многоэмиттерный транзистор n - p - п работает как инвертор. [61]
Рассмотрим процессы при чтении информации из ПЗУ. При подаче адреса ( адресных групп At и / 12) происходит, как уже рассматривалось выше, выборка определенной четверки транзисторов накопителя. Если перемычка в цепи эмиттера выбранного транзистора не пережжена, ток этого транзистора создает на резисторе напряжение, запирающее соответствующий многоэмиттерный транзистор; если же перемычка пережжена, то многоэмиттерный транзистор открыт. Открытое либо закрытое состояние многоэмиттерных транзисторов МТг... МТ определяет значение разрядов считанного слова. [62]
![]() |
Условные графические обозначения логических ИМС серии К178 v. [63] |
Является ли эта особенность схемы ее преимуществом. С какой целью используется последовательное включение двух диодов смещения. Для чего в схемах ТТЛ используется многоэмиттерный транзистор. Что собой представляет логический расширитель. Как он подключается к основной схеме ТТЛ. [64]
![]() |
Оптоэлектронная логическая ИМС ( инвертор-переключатель. [65] |
В последние годы повышенное внимание привлекает идея построения логических ИМС с использованием оптронов. Так, на базе диодных оптронов уже разработаны интегральные оптоэлектрон-ные переключающие схемы, обладающие повышенной помехоустойчивостью, экономичностью и достаточно высоким быстродействием. Пример такой схемы показан на рис. 11.18. Схема представляет собой логический ключ ( инвертор-переключатель) с управлением по оптическому каналу. Транзисторная его часть соответствует базовой структуре ТТЛ, в которой многоэмиттерный транзистор заменен оптроном. Отличие этой схемы от обычных логических ИМС состоит в гальванической развязке входа, что упрощает связь между блоками, повышает устойчивость работы схемы, уменьшает уровень шумов в ней, так как последние подавляются оптическим каналом в оптроне. [66]
![]() |
Многоэмиттерный транзистор ( а. логический элемент на его основе ( б и условное графическое обозначение ( в. [67] |
Базовый ТТЛ-элемент построен на основе использования многоэмиттерного транзистора. Логические элементы образуются соединением многоэмиттерного транзистора с простым или составным транзисторным инвертором. На рис. 6.6 6 показана схема простейшего элемента на многоэмиттерном транзисторе. Транзистор VT открыт и насыщен базовым током / Еь являющимся коллекторным током / к и ограничиваемым резистором RB - Многоэмиттерный транзистор работает при этой комбинации входных сигналов в инверсном включении. Таким образом, эмиттерные переходы МТ выполняют функцию диодов и реализуют для положительной логики функцию И. Практические схемы ТТЛ-инверторов отличаются от рассмотренной выше тем, что для повышения помехоустойчивости и нагрузочной способности в них включаются дополнительные элементы. [68]
![]() |
Элемент И - НЕ на интегральных схемах класса ДТЛ.| Элемент И - НЕ на интегральных схемах класса ТТЛ. [69] |
Схема имеет высокое быстродействие при небольшой потребляемой мощности и легко выполняется в интегральном виде. Первый транзистор Тг многоэмиттерный, что является спецификой интегральных схем. Эти эмиттеры и используются в качестве входных цепей схемы. Следует иметь в виду, что по эмиттерному входу транзистор типа п-р - п открывается низким уровнем сигнала. В рассматриваемой схеме многоэмиттерный транзистор открывается при наличии низкого уровня напряжения хотя бы на одном из его эмиттеров. При этом потенциал базы Tz падает и транзистор закрывается. В результате включения в делитель ( 1 ком - Tz - 1 ком) большого сопротивления ( закрытый транзистор Т2) потенциал базы транзистора Т3 снижается и этот транзистор также закрывается. На выходе схемы устанавливается высокий уровень. [70]