Многоэмиттерный транзистор

Cтраница 3

Малая задержка выключения элемента здесь обусловлена большой величиной обратного рассасывающего тока базы транзисторов 7 и Т3, замыкающегося через насыщенный многоэмиттерный транзистор Тм и насыщенный выходной транзистор Т3 предшествующего элемента. [31]

Логические элементы с эмиттерной связью ( ЭСЛ. [32]

Дз-Преимущество ТТЛ-элемента по сравнению с ДТЛ-эле-ментом состоит в том, что исключение резистора б уменьшает площадь, занимаемую ТТЛ-элементом на кристалле, а многоэмиттерный транзистор занимает меньшую площадь, чем диодная структура. Поэтому ТТЛ-элементы широко применяют в интегральном исполнении. [33]

Если на все входы элемента ( эмиттеры транзистора Тм) поданы сигналы 1, соответствующие здесь высокому положительному уровню потенциала ( см. рис. 6.4, б), то все транзисторные структуры, образующие многоэмиттерный транзистор, работают в активном инверсном режиме. [34]

При ывх Упор насыщенный режим транзистора сохраняется. Многоэмиттерный транзистор Т работает в инверсном режйМе; jero эмиттерный переход база - первый эмиттер смещен в обратной направлении. [35]

Многоэмиттерный транзистор ( МЭТ) был создан для микроминиатюрных логических устройств. Число эмиттеров, размещенных на базе, в отличие от биполярного транзистора может достигать четырех. Толщина базового кристалла между коллектором и каждым из эмиттеров невелика, что обусловливает возможность диффузии в базе на каждом из участков между коллектором и эмиттером. [36]

В зависимости от сигналов на входе многоэмиттерный транзистор работает в прямом ( нормальном) либо в инверсном ( обращенном) включении. Многоэмиттерный транзистор имеет существенное различие в коэффициентах передачи тока в обоих режимах. Сделано это для обеспечения оптимальных условий работы. [37]

Основной элемент диодно-транзи-сторной логики.| Основной элемент транзисторно-транзисторной логики. [38]

Схема ТТЛ с использованием на входе многоэмиттер-ного транзистора представлена на рис. 3.25. Эта схема выполняет логическую функцию И-НЕ для высоких уровней входных сигналов. Многоэмиттерный транзистор представляет собой интегральный элемент, объединяющий преимущества диодных логических схем и транзисторных усилителей. Последний входит в состояние насыщения, что соответствует появлению на выходе схемы низкого логического уровня напряжения. Если хотя бы на один вход схемы подан низкий уровень напряжения, то соответствующий эмиттер ( эмиттеры) смещается в прямом направлении. Ток, задаваемый в базу, течет в цепи этого эмиттера, и транзистор Т2 выключается. В закрытом режиме те транзисторные переходы, на эмиттеры которых подан низкий уровень напряжения, находятся в режиме насыщения, а остальные - в инверсном активном режиме. [39]

Отличительным признаком элементов ТТЛ является многоэмит-терный транзистор ( см. § 3.3), включенный во входной цепи. Многоэмиттерный транзистор выполняет логическую операцию И над входными логическими переменными Л и В, а на выходе элемента реализуется функция И-НЕ: С АВ. Простейшие элементы ТТЛ используют в БИС. [40]

Многоэмиттерный транзистор ( МЭТ) был создан для микроминиатюрных логических устройств. Данный транзистор, подобно обычному биполярному, имеет базу и один коллектор. Число эмиттеров, размещенных на базе, в отличие от биполярного транзистора может достигать четырех - восьми. Толщина базового кристалла между коллектором и каждым из эмиттеров невелика, что обусловливает возможность диффузии в базе на каждом из участков между коллектором и эмиттером. Напротив, взаимодействие между эмиттерами через участки базы практически отсутствует. [41]

Логический элемент ТТЛ с двухступенчатой логикой. [42]

Многоэмиттерный транзистор Tl ( T4) и резистор R1 ( R2) реализуют логическую функцию И. Соединенные транзисторы Т2 и ТЗ реализуют функцию ИЛИ, а подключенный к их выходу инвертор - функцию НЕ. [43]

Логический элемент И-НЕ с мно-гоэмиттерным транзистором ТТЛ. [44]

Микросхемы ПТТЛ ( их часто называют также эмит-терно-связанными логическими схемами - ЭСТЛ) состоят из транзисторных входных и выходных цепей. Входные цепи - многоэмиттерный транзистор, транзисторная или диодная сборка - присоединяются к базе одного из транзисторных переключателей тока, а база второго транзистора присоединяется к дополнительному источнику опорного напряжения. Схемы ПТТЛ получают широкое распространение вследствие резкого увеличения их быстродействия, что объясняется режимом работы транзисторов без насыщения носителей зарядов в их переходах. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5