Многоэмиттерный транзистор

Cтраница 4

На рис. 13 - 6, а представлен топологический чертеж логической ИМС1, выполняющей операцию И - НЕ, а на рис. 13 - 6 6 - ее принципиальная электрическая схема. Элемент Т представляет собой многоэмиттерный транзистор. [46]

Многоэмиттерный транзистор. [47]

В процессе развития микроэлектроники ( особенно в связи с потребностями вычислительной техники) появились некоторые разновидности биполярных транзисторов, которые не имеют аналогов в дискретной полупроводниковой технике. К их числу относится многоэмиттерный транзистор. Он представляет собой совокупность нескольких прл-транзисторов, имеющих общую базу и общий коллектор. [48]

В этой схеме логическим 1 и 0 соответствуют выходные сигналы низкого и высокого уровней сложного инвертора. Роль конъюнктора на четыре входа в этой схеме выполняет многоэмиттерный транзистор TI. На транзисторах Т3 и Г4 реализован сложный инвертор. [49]

В ИМС, выполненных по технологии ТТЛ, в качестве базового элемента используется многоэмиттерный транзистор. Упрощенная схема логического элемента И-НЕ с многоэмиттерным транзистором VTI приведена на рис. 12.2. Многоэмиттерный транзистор ( МЭТ) отличается от обычного транзистора тем, что он имеет несколько эмиттеров, расположенных так, что прямое взаимодействие между ними исключается. [50]

Если коллекторный переход многоэмиттерного транзистора смещен в обратном направлении, а каждый из п эмиттеров, за исключением / - го, заперт, то коллекторный ток создается только этим / - м эмиттером. Если коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерные переходы закрыты, то многоэмиттерный транзистор работает в инверсном режиме. Диффузия неосновных носителей заряда в базе идет от коллектора к запертым эмиттерам. Продиффундировавшие через базу носители заряда распределяются между эмиттерами транзистора. Коэффициент передачи по току для / - го эмиттера имеет значение B / i. Если все п эмиттерных переходов смещены в прямом направлении, то коэффициент передачи равен В. [51]

В этом случае оба эмиттерных перехода транзистора Г, закрыты, так как они имеют обратное смещение. Транзисторы Г2 и Т4 находятся в режиме насыщения. Многоэмиттерный транзистор Г, находится в инверсном режиме включения. В силу этого транзистор Т3 надежно закрыт и находится в режиме отсечки. [52]

Входная логическая цепь может быть выполнена как на диодах, так и на многоэмиттерном транзисторе. Более предпочтительно использование диодной логики, поскольку диоды имеют меньшую величину обратного тока. Многоэмиттерный транзистор во входной цепи данного элемента не дает каких-либо дополнительных преимуществ, так как большой выключающий ток обеспечивается не через входную цепь элемента. Питание входной логической цепи осуществляется от источника тактовых импульсов. [53]

Элемент И-ИЛИ-НЕ на интегральных схемах класса ТТЛ ( а и его условное обозначение ( б. [54]

Эти эмиттеры и используются в качестве входных цепей схемы. Следует иметь в виду, что по эмиттерному входу транзистор типа п-р - п открывается низким уровнем сигнала. В рассматриваемой схеме многоэмиттерный транзистор открывается при наличии низкого уровня напряжения хотя бы на одном из его эмиттеров. При этом потенциал базы VT2 падает и транзистор закрывается. В результате включения в делитель ( 1 кОм - VT2 - 1 кОм) большого сопротивления ( закрытый транзистор VT2) потенциал базы транзистора VT3 снижается и этот транзистор также закрывается. На выходе схемы устанавливается высокий уровень. [55]

Эта логика не имеет аналогов в дискретном исполнении и является новым направлением, которое способствует миниатюризации цифровых приборов. В основе построения микросхем на И2 используется базовая структура, состоящая из комплементарной пары биполярных транзисторов. Транзистор р-п - р работает в режиме источника тока ( выполняет функции инжектора носителей заряда), а многоэмиттерный транзистор n - p - п работает как инвертор. [56]

Передаточная ( амплитудная характеристика ячейки ТТЛ. [57]

Входная характеристика имеет вид, показанный на рис. 8.29. При входных напряжениях, превышающих напряжение на базе насыщенного транзистора Tz, равное сумме l / вэ. Небольшая величина 0 / обеспечивает при этом малость втекающих в эмиттер входных токов / вх 0 015 - г - 0 025 / к и не превышает десятков микроампер. При снижении входного напряжения ( f / BXl4 - s - - ч - 1 5 В) многоэмиттерный транзистор насыщается, а транзистор Т2 запирается. [58]

Микросхема ПЗУ К556РТ4. [59]

Рассмотрим процессы при чтении информации из ПЗУ. При подаче адреса ( адресных групп At и / 12) происходит, как уже рассматривалось выше, выборка определенной четверки транзисторов накопителя. Если перемычка в цепи эмиттера выбранного транзистора не пережжена, ток этого транзистора создает на резисторе напряжение, запирающее соответствующий многоэмиттерный транзистор; если же перемычка пережжена, то многоэмиттерный транзистор открыт. Открытое либо закрытое состояние многоэмиттерных транзисторов МТг... МТ определяет значение разрядов считанного слова. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5