Реальный транзистор
Cтраница 1
Реальный транзистор имеет трехмерную структуру, процессы в которой описываются дифференциальными уравнениями в частных производных. Распределенные модели могут применяться только при анализе простейших одно-транзисторных схем на этапе проектирования собственно компонентов, а не принципиальных электрических схем. [1]
Свойства реального транзистора ( РТ) в соответствии со схемой рис. 7.36 будем описывать с помощью идеального, нешумящего транзистора ИТ, на входе которого включены эквивалентные шумовые источники и входная проводимость УВХ реального транзистора. Источник сигнала представим в виде источника задающего тока / с, действующего параллельно его внутренней проводимости Ус. Будем считать, что собственные шумы источника сигнала создаются активной составляющей проводимости Ус и имеют тепловое происхождение. [2]
У реальных транзисторов обратный ток коллектора / Н может заметно превышать ток насыщения за счет других составляющих ( см. стр. При этом в области не слишком высоких температур обратный ток зависит от температуры значительно меньше, чем ток насыщения. [4]
 |
Зависимость коэффициента передачи тока от тока эмиттера. [5] |
У реальных транзисторов в инверсном включении усилительные свойства, как правило, значительно хуже, чем в нормальном включении, поскольку их конструкция оптимизируется под определенный способ включения. [6]
Инерционность реального транзистора зависит от времени переноса носителей в его базе и от емкостей р - n - переходов. Инерционность схемы определяется ее паразитными емкостями. Для увеличения быстродействия транзисторных ключей необходимо использовать специальные транзисторы. В дальнейшем для простоты изложения работы импульсных схем с транзисторными ключами мы будем пренебрегать инерционностью процесса переноса электронов в базе транзистора и учитывать лишь емкости, не разделяя их на паразитные и емкости транзистора. [7]
В реальных транзисторах токи / а и / к близки по величине. Сравнительно небольшие изменения смещения эмиттерного перехода С / г, вызывают значительные изменения тока эмиттера, а следовательно, и коллектора. [8]
В реальных транзисторах существенное влияние на величину / К0 оказывает состояние поверхности. Влага и загрязнение значительно увеличивают / К0, вызывая шунтирование р-п перехода и образование утечек по поверхности. [9]
 |
Трехмерная модель сплавного транзистора с кольцевой базой. [10] |
В реальном транзисторе токи, протекающие по базовой области, вызывают падение напряжения на сопротивлении объема кристалла. Это сопротивление называют обычно объемным сопротивлением базы. [11]
В реальном транзисторе существуют оба вида обратной связи. [12]
В реальных транзисторах, особенно сплавных, величина см может оказаться значительно ниже расчетной вследствие того, что в процессе сплавления в большинстве случаев коллектор получается не плоским, а имеющим небольшие острые выступы, направленные в сторону эмиттера. Расширение перехода и пробой области базы в районе этих выступов происходят гораздо быстрее, чем на остальной плоской части коллектора. [13]
В реальном транзисторе оба эти механизма действуют одновременно, обеспечивая некоторый суммарный эффект. [14]
 |
Зависимости коэффициента усиления по току ( 3f от коллекторного тока ( / с для биполярного транзистора NEC, 2SC 960. Fce 5 В. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5