Реальный транзистор
Cтраница 3
 |
Эквивалентная схема транзистора для режима большого сигнала при работе на высоких частотах ( ( оЗй т / Ро.| Схема, поясняющая распределение активных мощностей. [31] |
Все внешние обратные связи в реальном транзисторе представлены включением между его входом и выходом пассивного реактивного многополюсника. [32]
 |
Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока базы транзистора от. [33] |
Влияние различных процессов на частотные свойства реального транзистора зависит от его конструкции и режима работы. Так, для бездрейфовых транзисторов характерно, что время пролета носителей через базу преобладает над всеми другими постоянными времени. [34]
Соответствующие индексы присвоены токам и напряжениям реального транзистора. [35]
 |
Эквивалентная схема, учитывающая сопротивления слоев транзистора ( схема ОБ.| Эквивалентные схемы транзистора, работающего в активном режиме. [36] |
Этим подчеркивается, что обратный ток реального транзистора помимо составляющей тока насыщения содержит генерационную составляющую, а также неконтролируемые поверхностные и объемные утечки. [37]
 |
Зависимость частоты а1 от тока эмиттера. [38] |
Влияние различных процессов на частотные свойства реального транзистора зависит от его конструкции, режима работы. Так, для бездрейфовых транзисторов характерно, что время пролета носителей через базу преобладает над всеми другими постоянными времени. [39]
Влияние различных процессов на частотные свойства реального транзистора зависит от его конструкции и режима работы. Так, для бездрейфовых транзисторов характерно, что время пролета носителей через базу преобладает над всеми другими постоянными времени. [40]
 |
Коллекторные ( а и эмиттерные ( б статические характеристики реального транзистора в схеме с общей базой. [41] |
Необходимо отметить, что при описании ВАХ реального транзистора следует в некоторых местах изменить обозначения, так как ранее введенные обозначения касались физической модели и естественно не учитывали некоторых явлений, имеющих место в реальных транзисторах. [42]
Уточнения, сделанные в результате анализа ВАХ реальных транзисторов, позволяют откорректировать эквивалентную схему транзистора, изображенную на рис. 4.9, и представить ее в виде схемы на рис. 4.15. Для активного режима, когда коллекторный переход не инжектирует носители, эта схема приводится к виду, представленному на рис. 4.16, а. [43]
Найденное значение усиления близко к ожидаемой величине для реальных транзисторов. [44]
 |
Многоэмиттерный транзистор. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5