Реальный транзистор

Cтраница 2

В реальных транзисторах эффект Кирка нередко проявляется и при больших значениях коллекторного тока. [16]

В реальном транзисторе, а отличие от рассматривавшегося идеального, кумуляция тока и мощности проявляется значительно сильнее вследствие асимметрии прибора си других многочисленных геометрических, технологических дефектов, о чем идет речь в разделах II и III настоящей статьи. [17]

В реальном транзисторе следует учитывать также, что плотность тока у коллекторного перехода может быть значительно ниже, чем у эмиттерного. Растекание тока приводит к росту времени пролета из-за того, что носители пересекают базу не кратчайшим путем. [18]

Зависимость напряжения Uкбт термоустойчивости ( л. макс транзисторов при / э 0. [19]

В реальных транзисторах в ряде случаев при нормальных температурах будут отклонения от экспоненциального закона / ко ( А) связанные с явлениями на поверхности полупроводникового прибора. [20]

Электрические характеристики реальных транзисторов значительно сложнее и многообразнее характеристик, вытекающих из теории диффузионной или дрейфовой модели. Это происходит отчасти из-за приближенного характера теоретического решения задачи о переносе носителей через базу при помощи одномерного уравнения непрерывности, а в еще большей мере из-за ряда дополнительных явлений, не учитываемых рассмотренными моделями. Например, при обратном напряжении на коллекторном переходе, приближающемся к пробивному, происходит лавинное умножение носителей ( см. с. [21]

Следующее отличие реального транзистора от теоретической модели заключается в том, что всем его областям присущи объемные сопротивления. Особенно велика роль объемного сопротивления базы г6 - электрического сопротивления, оказываемого областью базы потоку основных носителей, который возникает в соответствии с принципом нейтральности ( с. Значение гб обычно невелико ( десятки - сотни ом), но вместе с барьерной емкостью коллекторного перехода Ск это сопротивление образует внутреннюю цепь обратной связи, возрастающей с повышением частоты усиливаемого сигнала. [22]

Вольт-амперные характеристики реального транзистора отличаются от соответствующих вольт-амперных характеристик идеализированной модели за счет влияния объемного сопротивления материала областей транзистора, поверхностных утечек р-л-пере-ходов, эффекта модуляции ширины базы, процессов рекомбинации-генерации в слое объемного заряда и ряда других факторов. В первом приближении учет влияния указанных факторов на поведение вольт-амперных характеристик реального транзистора может быть осуществлен введением в эквивалентную схему идеализированной модели транзистора рис. 1 - 6 сопротивлений г3, гк и Гб, вклкуенных последовательно с электродами идеализированной модели, и сопротивлений гэб, и rKg, включенных параллельно р-п-переходам. [23]

Коэффициент передачи тока реального транзистора легко определяется с помощью несложных устройств. Коэффициент передачи тока эмиттера является одним из основных параметров транзистора. [24]

На эквивалентной схеме реального транзистора ( рис. 1.4, б) выделен диод пассивной части коллектора, представленный в виде символа идеального диода, зашун-тированного емкостью Скп. [25]

Метод заряда для реальных транзисторов будет приближенным, поскольку области реальных транзисторов неоднородны, что не учитывается в методе заряда. [26]

Так как в реальных транзисторах эффективность эмиттера близка к единице и рекомбинация в базе также мала, а следовательно, мал ток рекомбинации ( электронный ток в р-п - р транзисторе, рассматриваемом здесь), то плотность электронного тока можно считать равной нулю. Эти условия приводят к таким же уравнениям для электрического поля, какие были получены в гл. [27]

В этих условиях для реальных транзисторов ( МП 13 - МП15, МП8 - МЛН, П5 и др.) коэффициент шума, измеренный на частоте 1000 гц, будет иметь значения в пределах от 3 до 25 дб. Следует учитывать, что указываемая в технических условиях на транзисторы величина коэффициента шума является максимально допустимой для данного типа или данной группы. Другими словами, все транзисторы данного типа ( данной группы) будут иметь коэффициент шума меньше, чем это указано в технических условиях. Так, например, для транзисторов типа П9А среднее значение коэффициента шума, измеренного в схеме с общим эмиттером в режиме ик 1 5 в, ig 0 5 ма, составляет 5 дб при максимально допустимом для этой группы 12 дб. Для отдельных образцов приборов этого типа значения коэффициента шума достигают 2 дб. Кремниевые транзисторы типа П101 имеют средний коэффициент шума в режиме иц 1 в, ia 0 2 ма около 15 дб. [28]

С 0) характеристика реального транзистора смещается вдоль вертикальной оси Икэ - О в сторону больших ( по абсолютной величине) отрицательных токов коллектора. [29]

Это означает, что в реальных транзисторах фактически все электроны, инжектированные в базовую р-область, действительно достигают коллектора. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5