Реальный транзистор

Cтраница 4

Непосредственная связь между эмиттерами через боковые стенки в реальных транзисторах практически отсутствует, поэтому перенос носителей между эмиттерами в схеме ( рис. 9, б) не учитывается. Эта схема получается из схемы рис. 9, б при допущении одинаковости падения напряжения на всем протяжении коллекторного перехода. Различия между моделями, соответствующими схемам ( рис. 9, б и рис. 10), заключаются в неодинаковости представления объемных сопротивлений и в неодинаковости параметров коллекторного перехода. С 2, / г2, связаны только с секциями активных зон базы, а в схеме рис. 10 параметры, определяющие - / к. Ск, If, связаны с активными и пассивными зонами базы. [46]

Обе эти причины приводят к тому, что характеристики реального транзистора не имеют общей точки пересечения. [47]

В итоге можно констатировать, что полный коллекторный ток реального транзистора, включенного по схеме с ОБ, будет содержать две составляющие: а / э - управляемую часть коллекторного тока и / ко / ко / к. [48]

Введение постоянной накопления тн позволяет более полно аппроксимировать характеристики реальных транзисторов IB режиме насыщения. [49]

Эквивалентная схема для анализа температуркой нестабильности рабочей точки транзистора. [50]

Системе ур-ний (2.11) соответствует эквивалентная схема рис. 2.4. В ней реальный транзистор представлен в виде идеального транзистора, режим работы которого абсолютно стабилен. Влияние температуры на смещение рабочей точки реального транзистора учитывается с помощью эквивалентных возмущающих генераторов напряжения и то. [51]

Распределение постоянного тока между элементарными транзисторами в мощном генераторном транзисторе. [52]

Формула ( 1) позволяет качественно оценить границу устойчивости - реального транзистора, однако такая оценка носит приближенный характер по следующим причинам: во-первых, элементарные транзисторы в реальном приборе неодинаковы; во-вторых, принятая тепловая эквивалентная схема, изображенная а рис. 1, не отражает различие теплового взаимодействия ближних и далеких элементарных транзисторов; в-третьих, величина R. [53]

Метод заряда для реальных транзисторов будет приближенным, поскольку области реальных транзисторов неоднородны, что не учитывается в методе заряда. [54]

Эквивалентная схема транзистора в виде четырехполюсника. [55]

Непрс едственное измерение внутренних параметров транзистора невозможно, поскольку в реальном транзисторе нет доступа к общей точке, соединяющей ветви Т - образной эквивалентной схемы. [56]

Знаки у коэффициентов передачи тока эмиттера одномерной теоретической модели транзистора и реального транзистора (4.83) различны в связи с отличием направлений токов в реальном транзисторе, включенном по схеме с общей базой, и условно принятыми направлениями тех же токов в эквивалентном четырехполюснике. [57]

Поверхностный пробой здесь рассматривается не-только потому, что он характерен для реальных транзисторов, а еще и для упрощения эквивалентной схемы и наглядности иллюстрации. Такая среда также расслаивается, поскольку связь между элементами слабая, особенно в транзисторах с тонкой базой. Между им и базовым выводом может оказаться включенным некоторое сопротивление. К тому же сам он может обладать отрицательным сопротивлением. Однако неустойчивость и перераспределение тока возникает по достижении отрицательного сопротивления в любом из участков, а не обязательно в том, который играет роль стабиловольта и первоначально проводит ток, и ток может сконцентрироваться совсем в другом месте - другом дефектном участке, там, где произведение локального коэффициента усиления на коэффициент умножения наибольшее, например в месте сужения базы. Так и в транзисторе с объемным пробоем возникает гистерезис вольтамперной характеристики. А в ид и параметры петли гистерезиса, возможно, позволят судить о дефектности транзистора и самих дефектах. [58]

Получив матрицу z, можно определить матрицы - у и Ъ реального транзистора. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5