Cтраница 5
Это отношение показывает, во сколько раз мощность шумов на выходе реального транзистора больше мощности шумов на выходе такого же идеального нешумящего транзистора. [61]
Сделаем ряд допущений: заряды распределены равномерно; поверхностные эффекты отсутствуют; реальный транзистор заменен одномерной моделью по оси х, перпендикулярной плоскости эмиттера ( коллектора); толщина базы незначительна; эмиттер насыщен акцепторной примесью во много раз больше, чем база донорной примесью; коллектор по площади значительно больше эмиттера. [62]