Паразитный транзистор

Cтраница 1

Диффузионный резистор. а структура. б эквивалентная схема. [1]

Паразитный транзистор имеет коэффициент р 0 6 - i - 5 в зависимости от толщины базы и может усиливать любые токи утечки. Он действует как шунт между резистором и подложкой. Поэтому с целью предотвращения влияния паразитного транзистора слой п-типа подключают к самому высокому положительному потенциалу схемы. [2]

Схема р - n - переходов планарно-эпитаксиального транзистора. [3]

Влияние паразитного транзистора уменьшается, если под коллектором имеется скрытый слой, снижающий коэффициент усиления тока паразитного транзистора. [4]

Схема включения паразитного транзистора представлена на рис. 3.3. Его коллекторный ( изолирующий) переход всегда смещен в обратном направлении. Активному режиму основного транзистора VTOCH соответствует режим отсечки паразитного транзистора VTnap. В этом случае его влияние невелико, так как токи утечки р-п переходов при обратных напряжениях малы. Режиму насыщения VTOCH соответствует активный режим работы VTnap. При этом ток утечки / ут возрастает, что приводит к уменьшению базового тока основного транзистора: / Б / Б - / ут. Скрытый слой в коллекторе создает тормозящее электрическое поле для дырок, инжектированных в коллектор из базы. [5]

К пояснению защелкивания выходного каскада от затекающих токов. [6]

К счастью, паразитные транзисторы обладают низкими частотными свойствами, поэтому если энергия импульса мала ( величина импульса может быть большой, но в то же время должна быть малой его длительность), защелкивание может и не произойти. Опытным путем установлено, что при длительности импульса менее 1 мкс вероятность защелкивания весьма мала. [7]

Накопление носителей в базе паразитного транзистора ( в период насыщения) влияет также на продолжительность стадии формирования среза. Когда ключ запирается, требуется некоторое время для рассасывания оставшихся избыточных носителей из базы как рабочего, так и паразитного транзистора. [8]

Структура интегрального транзистора с охранным кольцом.| Структура интегрального транзистора с расширенным базовым контактом.| Структура интегрального тран-вистора с противоканальным кольцом.| Композитный транзистор. [9]

С этой целью вначале использовались паразитные транзисторы р-п - р, создаваемые структурой основного транзистора и подложкой. Однако у этих транзисторов р 2 - т - 3 в связи с наличием у них толстой базы, и, кроме того, при использовании нескольких транзисторов на одной подложке возникает ограничение по их применению, связанное с наличием общего коллектора-подложки. [10]

Утечка носителей через эмиттерныи переход паразитного транзистора ускоряет рассасывание носителей в базе рабочего транзистора. [11]

Характеристики диода определяются с учетом влияния паразитного транзистора. В закрытом состоянии диода паразитный транзистор работает в области отсечки, поэтому активное действие транзистора не проявляется. При этом входной / вх и выходной 7Вых токи диода, а также ток утечки в подложку / ут определяются тепловыми токами переходов, которые для кремниевых приборов пренебрежимо малы. Когда диод смещается в прямом направлении, отпирается эмиттерный переход паразитного транзистора, который начинает работать в активной области. При этом транзистор работает как усилитель тока, поэтому заметно возрастает ток утечки. [12]

БО. Транзистор полупроводниковой ИС с изолирующим р-п переходом.| Эквивалентная схема МДП транзистора. [13]

При отсутствии отрицательного смещения на изолирующем переходе паразитный транзистор работает в режиме инверсной инжекции. Это вызывает увеличение заряда, накапливаемого коллектором, и увеличение времени запирания основного транзистора. При отрицательном смещении на изолирующем переходе время запирания основного транзистора уменьшается за счет коллектирования переходом коллектор - подложка части заряда, накопленного в коллекторной области. [14]

Пять диодных схем включения интегрального транзистора. а - структуры диодов. б - полная эквивалентная схема. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5