Паразитный транзистор

Cтраница 5

Как только основной транзистор входит в насыщение, его коллекторный переход оказывается смещенным в прямом направлении. При легировании золотом Впар снижается до 0 01 и влияние паразитного транзистора по существу устраняется. Образование паразитных транзисторных структур возможно и в других интегральных элементах и должно учитываться при разработке интегральных схем. [61]

Переход база - коллектор, играющий роль эмиттерного перехода паразитного транзистора, в диодных схемах в, г и д смещается в прямом направлении. Таким образом, в этих схемах выполняются условия, соответствующие включению паразитного транзистора в обычном усилительном режиме. В этом случае влияние паразитного транзистора на работу ИС является очень незначительным. В обычных ИС действие паразитного транзистора не сказывается в варианте схемы б, так как р-область эмиттера этого транзистора закорочена с п-об-ластью базы. [62]

На рис. 7.21 показана модель микросхемы ТТЛ. Так как изолирующие слои резисторов Rl и RK подключаются к точке с наивысшим потенциалом, то паразитные транзисторы, связанные с резисторами, оказываются в области отсечки независимо от режима работы ИМС. При этом нейтрализуется активное действие этих транзисторов и их влияние заметно ослабляется, поэтому они не включены в модель ИМС. Паразитный транзистор Т, образуемый рабочими слоями инвертора TI и подложкой, проявляет свое активное действие, когда инвертор насыщается и отпирается эмиттерный переход этого транзистора. [63]

Модель трехслойного паразитного транзистора.| Модель паразитного диода. [64]

При расчете ИМС можно не учитывать влияние всех особенностей транзисторной структуры, поэтому удается существенно упростить ее модель. Так, например, в большинстве случаев путем введения примеси золота удается настолько уменьшить коэффициенты переноса неосновных носителей для паразитных транзисторов, что активным действием этих транзисторов можно пренебречь, учитывая только влияние емкости подложки. Паразитные диоды также можно исключить ( так как они обычно смещены в обратном направлении), оставив только зарядные емкости этих диодов. При указанных допущениях решающей становится модель активной области базы, коллектор которой шунтируется паразитной емкостью подложки. Эту модель тоже можно упростить, исключив из нее диоды, учитывающие влияние токов основных носителей. [65]

Накопление носителей в базе паразитного транзистора ( в период насыщения) влияет также на продолжительность стадии формирования среза. Когда ключ запирается, требуется некоторое время для рассасывания оставшихся избыточных носителей из базы как рабочего, так и паразитного транзистора. [66]

Топология ( а и структура ( б транзистора ИМС.| Упрощенные эквивалентные схемы транзистора ИМС при включении с общей базой ( о и общим эмиттером ( б. [67]

Структура интегрального транзистора существенно отличается от структуры дискретного транзистора, что в свою очередь приводит к некоторому различию их физических свойств. Основное отличие интегрального транзистора от дискретного заключается в наличии у интегрального транзистора изолирующего р - / г-перехода, необходимость использования которого вызывает появление паразитного транзистора типа р-п - р и увеличение сопротивления тела коллектора. Параметры интегрального транзистора типа п-р - п в значительной степени определяются параметрами паразитного транзистора. [68]

Страницы: 1 2 3 4 5