Паразитный транзистор

Cтраница 4

Пока основной транзистор работает в активной области семейства выходных характеристик ( или в области отсечки), его коллекторный переход смещен в обратном направлении, а паразитный транзистор выключен. [46]

Модель микросхемы ДТЛ с входными диодами, образующими паразитные р-п-р-траюисторы 262. [47]

В ИМС, не легированных золотом, во всех диодных включениях ( за исключением диода с закороченным коллектором), как известно, из-за активного действия паразитных транзисторов токи утечки в подложку достигают заметного значения. Выясним влияние этих токов на работу входных диодов. На рис. 7.7 показана модель ИМС, в которой входными диодами являются диоды, полученные без проведения эмиттерной диффузии. Эти диоды образуют паразитные р-п-р-транзисторы, у которых эмиттером служи. [48]

Общим для всех МНОП-ЗУ является необходимость использования сравнительно больших сигналов для записи информации, что в свою очередь вызывает дополнительные технологические трудности: обеспечение высоких пробивных напряжений р-п переходов и диэлектриков, а также высоких пороговых напряжений для паразитных транзисторов и низких для основных транзисторов. [49]

Со о г - барьерная емкость при нулевом напряжении; и; - коэффициент, равный 0 5 или 0 33 в зависимости от характера перехода; т - постоянная времени перехода; / т - тепловой ток; rt и г к - объемные сопротивления тел базы и коллектора; В и Ви - нормальный и инверсный коэффициенты передачи тока базы основного транзистора; Ва - коэффициент передачи тока паразитного транзистора. [50]

Полупроводниковая интегральная схема имеет общую подложку из кремния р-типа. Паразитный транзистор является по отношению к основному дополняющим, причем база основного транзистора служит эмиттером паразитного, коллектор основного транзистора - базой паразитного, а подложка - коллектором паразитного. [51]

Влияние паразитного транзистора можно уменьшить введением скрытого слоя N Типа, который снижает усиление по току. [52]

Интегральные диоды представляют собой многослойные структуры, характеристики которых определяются схемой включения транзисторной структуры. Определенное влияние оказывают паразитные транзисторы, которые образуются из-за взаимодействия рабочих слоев с подложкой ИМС. В частности, ток утечки диода в подложку определяется током коллектора паразитного транзистора. Из-за наличия тока утечки входной ток интегрального диода всегда отличается от выходного тока. Быстродействие интегрального диода, определяемое зарядными емкостями переходов и временем рассасывания, также зависит от схемы включения. [53]

Характеристики диода определяются с учетом влияния паразитного транзистора. В закрытом состоянии диода паразитный транзистор работает в области отсечки, поэтому активное действие транзистора не проявляется. При этом входной / вх и выходной 7Вых токи диода, а также ток утечки в подложку / ут определяются тепловыми токами переходов, которые для кремниевых приборов пренебрежимо малы. Когда диод смещается в прямом направлении, отпирается эмиттерный переход паразитного транзистора, который начинает работать в активной области. При этом транзистор работает как усилитель тока, поэтому заметно возрастает ток утечки. [54]

Микросхема ТТЛ [ IMAGE ] Модель микросхемы ТТЛ. [55]

В микросхеме ТТЛ образуется паразитный р-п-р-транзистор Тэ, связанный с входным МЭТ. Независимо от режима работы ИМС паразитный транзистор Тэ работает в активной области, так как его эмиттерный переход является коллекторным переходом МЭТ, который всегда смещен в прямом направлении. [56]

Пример эквивалентных схем элементов полупроводниковых интегральных схем. [57]

На рисунке схематически показана одна из возможных пленарных структур МЭТ и его упрощенная эквивалентная схема. Последняя помимо основного транзистора включает в себя паразитные транзисторы эмиттер - база - эмиттер. Степень влияния паразитных транзисторов зависит от взаимного расположения эмиттеров и физических параметров транзистора в целом. При разработке транзистора стремятся по возможности сократить коэффициенты передачи паразитных транзисторов, чтобы свести их влияние к минимуму. [58]

При выборе схемы включения диодов в ИМС наряду с учетом их электрических характеристик принимают во внимание также влияние паразитных эффектов, обусловленных взаимодействием рабочих областей с подложкой и изолирующими слоями. При этом особенно существенно проявляется активное действие паразитных транзисторов, оказывающее определенное влияние на работу ИМС. [59]

Схема включения паразитного транзистора представлена на рис. 3.3. Его коллекторный ( изолирующий) переход всегда смещен в обратном направлении. Активному режиму основного транзистора VTOCH соответствует режим отсечки паразитного транзистора VTnap. В этом случае его влияние невелико, так как токи утечки р-п переходов при обратных напряжениях малы. Режиму насыщения VTOCH соответствует активный режим работы VTnap. При этом ток утечки / ут возрастает, что приводит к уменьшению базового тока основного транзистора: / Б / Б - / ут. Скрытый слой в коллекторе создает тормозящее электрическое поле для дырок, инжектированных в коллектор из базы. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5