Паразитный транзистор
Cтраница 2
Значение ответвляющегося тока зависит от коэффициента передачи тока паразитного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. [16]
При разработке топологии МДП-ИМС важно также учитывать возможность исключения паразитных транзисторов, образуемых при пересечении шинами разводки диффузионных областей одного типа электропроводности. Так как металлизация обычно проходит по толстому слою оксида, то пороговое напряжение паразитных МДП-транзисторов обычно составляет 10 - 15 В и их крутизна невелика. Однако присутствие в МДП-ИМС паразитных транзисторов может увеличить потребляемую мощность, уменьшить уровни выходных напряжений, снизить входное сопротивление и даже привести к нарушению нормального режима работы схемы. При разработке КМДП-ИМС вероятность образования паразитных транзисторов увеличивается по сравнению с МДП-ИМС на транзисторах с каналами одного типа электропроводности. Это объясняется тем, что в топологии КМДП-ИМС увеличивается количество диффузионных областей, и всегда под металлом разводки, соединяющей затворы транзисторов с каналами п - и р-типов, возникает инверсный слой. [17]
 |
Диодная сборка. [18] |
Переход база - коллектор, играющий роль эмиттерного перехода паразитного транзистора, в диодных схемах в, г и д смещается в прямом направлении. Таким образом, в этих схемах выполняются условия, соответствующие включению паразитного транзистора в обычном усилительном режиме. В этом случае влияние паразитного транзистора на работу ИС является очень незначительным. В обычных ИС действие паразитного транзистора не сказывается в варианте схемы б, так как р-область эмиттера этого транзистора закорочена с п-об-ластью базы. [19]
 |
Эквивалентные схемы диффузионного резистора. [20] |
Если в процессе работы диодов создаются условия, при которых паразитный транзистор р-п - р ( рис. 3 - 50) оказывает существенное влияние, то эквивалентные схемы диодов должны быть соответственно дополнены. [21]
Этим достигается резкое уменьшение коэффициента переноса носителей заряда через базу паразитного транзистора, который становится практически равным нулю. [22]
При этом пороговое напряжение возрастает и, следовательно, крутизна паразитного транзистора уменьшается. Охранные области могут быть использованы в качестве шин питания и земли, что позволяет упростить выполнение пересечений в топологии схемы. [23]
С увеличением толщины окисла под соединительными шинами возрастает пороговое напряжение паразитных транзисторов, поэтому практически исключается возможность индуцирования каналов. Обычно поверхность подложки защищают пассивирующим слоем стекла ( рис. 1.10), исключающим загрязнения, которые способствуют образованию инверсных слоев. [25]
Для обеспечения нормальной работы полевого транзистора необ -) димо исключить паразитный транзистор. Подключив на стадии из-шэвления технологической проводящей перемычкой подложку к ис-жу, мы значительно ослабим влияние этого элемента. Данная связь гражена в условном обозначении MOSFET стрелочкой. Таким про-ыи методом гарантированно исключается опасность неконтролиру-лого поведения паразитного элемента. [26]
 |
Упрошенные формулы для расчета емкости и времени рассасывания. [27] |
Во всех остальных диодах, представляющих собой многослойные структуры, влияние паразитного транзистора сказывается настолько существенно, что без устранения их активного действия ( например, путем легирования золотом) невозможно уменьшить токи утечки, достигающие заметного значения. [28]
На базу Тп относительно его эмиттера поступает по ложительное напряжение, поэтому паразитный транзистор оказывается закрытым. Однако и в закрытом состоянии в его цепях протекают токи утечки / КБОП и / ЭБОП, влияющие на работу основного транзистора. [29]
На базу Тп относительно его эмиттера поступает по ложительное напряжение, поэтому паразитный транзистор оказывается закрытым. Однако и в закрытом состоянии в его цепях протекают токи утечки / КБОП и / эвоп, влияющие на работу основного транзистора. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5