Паразитный транзистор
Cтраница 3
Если изолирующий / 7-п-переход между резиегавной полоской и подложкой ( эмиттерный переход паразитного транзистора) окажется смещенным в прямом направлении, то паразитный транзистор может нарушить работу интегральной микросхемы. Поэтому-то и необходимо, чтобы падение напряжения на диффузионном резисторе не превышало максимального напряжения. [31]
Характерное отличие интегрального диода от дискретного заключается в наличии паразитной емкости и паразитного транзистора. Интегральный диод можно рассматривать как трехполюсный прибор, третьим электродом которого служит подложка. Влияние паразитного транзистора, включающего в себя базу, коллектор и подложку, необходимо учитывать при проектировании полупроводниковых ИМС. Так как в полупроводниковой ИМС, изолированной с помощью p - n - перехода, подложка соединяется с наиболее отрицательной точкой схемы, то коллекторный переход паразитного транзистора смещается в прямом направлении. [32]
Схема ТТЛ с учетом паразитных связей активного типа изображена на рис. 4.8. В ней паразитные транзисторы, связанные с резисторами, выключаются путем подсоединения областей, изолирующих резисторы, к максимальному положительному потенциалу в схеме. [33]
 |
Топология четырехэмиттерного транзистора ( а и модель четырехэмит. [34] |
В свою очередь, р и PJ - - прямой и инверсный коэффициенты усиления тока паразитного транзистора p - n - p - типа. [35]
Влияние паразитного транзистора уменьшается, если под коллектором имеется скрытый слой, снижающий коэффициент усиления тока паразитного транзистора. [36]
Продолжительность времени рассасывания определяется временем, в течение которого рассасываются неосновные носители, накопленные в базе паразитного транзистора вблизи эмиттерного перехода. [37]
 |
Модели электронного ключа на биполярном транзисторе. [38] |
Используемые в ИМС электронные ключи на биполярных транзисторах также представляют собой многослойные структуры, на работу которых заметно влияют паразитные транзисторы. [39]
Следует обратить внимание, что в многоэмиттерном транзисторе работающий эмиттер вместе с базой и другим, соседним эмиттером образует паразитный транзистор. [40]
Если изолирующий / 7-п-переход между резиегавной полоской и подложкой ( эмиттерный переход паразитного транзистора) окажется смещенным в прямом направлении, то паразитный транзистор может нарушить работу интегральной микросхемы. Поэтому-то и необходимо, чтобы падение напряжения на диффузионном резисторе не превышало максимального напряжения. [41]
Изолирующий р-л-переход существенно влияет на процессы в интегральном биполярном транзисторе через барьерную емкость и обратный ток, а также в результате того, что паразитный транзистор р-п-р-тнпа оказывается в активной области, если основной транзистор п-р - п типа будет в насыщении. [42]
 |
Модель интегрального резистора с паразитной емкостью ( а и с паразитными емкостью и транзистором ( б. [43] |
В ИМС с изолирующим p - n - переходом, а также при V-ATE - и VIP-технологии резисторы, полученные путем базовой диффузии, образуют паразитные транзисторы. Эмиттером этого транзистора является рези-стивный слой, базой - эпитаксиальный n - слой или скрытый и - слой, коллектором - подложка. [44]
Если к контактам А или Б приложено положительное напряжение, смещающее р-п переход резистор - эпи-таксиальный слой в прямом направлении, то проявляются усилительные свойства паразитного транзистора. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5