Диффузионный транзистор

Cтраница 1

Диффузионный транзистор имеет ряд преимуществ перед сплавным. Концентрация примесей в базе, если пренебречь небольшой областью вблизи эмиттерного перехода, уменьшается в сторону коллектора, что создает в базе электрическое поле, способствующее движению носителей от эмиттера к коллектору и соответственно уменьшающее время пролета носителей через базу. [1]

Диффузионные транзисторы используют в высокочастотных резонаторах и апериодических усилителях, низковольтных скоростных генераторах импульсов и переключателях. [2]

Кремниевые пленарные диффузионные транзисторы с р-п - переходом и р-каналом предназначены для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и усилителей постоянного тока в составе микросхем, узлов и блоков. [3]

Микросплавной диффузионный транзистор изготавливается методом диффузии и микросплавления. [4]

Для диффузионных транзисторов участок, на котором вышеприведенные расчеты справедливы, определяется соотношением входных и выходных токов и в настоящее время нет расчетной формулы, описывающей всю зависимость в целом, либо позволяющей определить точки перегиба. Поэтому необходимо либо отказаться от предположения о логарифмическом характере указанных зависимостей, либо не считать постоянную времени константой для всех режимов и определять ее экспериментально для конкретных режимов в том диапазоне, где приведенные логарифмические формулы уже несправедливы. [5]

У диффузионных транзисторов скопившиеся дырки рассасываются обычно раньше у коллекторного перехода, где их концентрация меньше, чем у эмиттерного. При этом переход смещается в обратном направлении - транзистор выходит из насыщения в активный ( усилительный) режим - и возникающее поле начинает увлекать в коллектор находящиеся возле перехода дырки. Так как теперь их концентрация стала ниже, чем в режиме насыщения, то ток коллектора начинает спадать. [6]

Эквивалентная схелта диффузионного транзистора с базой плоского типа. [7]

Для низкочастотных диффузионных транзисторов тр при Сн 0 так велико, что выполняется соотношение тр тк; поэтому приближенно можно считать тв-тр. [8]

Для низкочастотных диффузионных транзисторов TD при Сн0 так велико, что выполняется соотношение Тц-Тк, поэтому приближенно можно считать твте. [9]

Для низкочастотных диффузионных транзисторов тр при Сн 0 так велико, что выполняется соотношение тр тк; поэтому приближенно можно считать тв-тр. [10]

Конструктивно-технологические разновидности транзисторов. [11]

К диффузионным транзисторам относятся приборы, изготовляемые методом выращивания и методом сплап-ления, а также поверхностно-барьерные транзисторы. Дрейфовые транзисторы с неравномерным содержанием примеси вдоль базы чаще всего изготавливаются методом диффузии примесей из жидкой или газообразной среды и поэтому иногда называются диффузионными, хотя по принципу действия являются дрейфовыми. [12]

В диффузионных транзисторах электрическое внутреннее поле в базе отсутствует и поступившие из эмиттера дырки диффундируют из области с более высокой их концентрацией в область с меньшей концентрацией. [13]

Сплавно-диффузионный транзистор. [14]

Способ изготовления диффузионных транзисторов требует совершенных методов обработки поверхности полупроводника. Для получения хороших частотных характеристик толщина базы должна быть порядка долей микрометра. Так как базовый слой располагается довольно близко от поверхности, на его однородность могут повлиять различные поверхностные дефекты, размеры которых могут быть также порядка микрометра. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5