Cтраница 5
![]() |
Гистограммы напряжения в максимуме ВАХ UKa H для диффузионных транзисторов. [61] |
Еще меньшим разбросом напряжений 7кбо и С / а обладают диффузионные транзисторы. [62]
Это же способствует тому, что концентрацию примесей в базе диффузионного транзистора можно повысить для снижения ее сопротивления без существенного повышения барьерной емкости коллекторного перехода и падения его пробивного напряжения. [63]