Диффузионный транзистор

Cтраница 3

Конструктивно-технологические разновидности транзисторов. [31]

В отличие от диффузионных транзисторов с однородной базой у дрейфовых транзисторов концентрация примесей в базовой области убывает в направлении от эмиттерного перехода к коллекторному, в результате чего в базе появляется электрическое поле, увлекающее неосновные носители в сторону коллектора. Движение носителей под действием электрического поля ускоряется и называется дрейфом, откуда происходит и название транзистора. Наиболее высокочастотные дрейфовые транзисторы успешно работают на частотах в сотни мегагерц. [32]

Изложенный способ изготовления диффузионных транзисторов требует очень совершенных методов обработки поверхности полупроводника. Для получения хороших частотных характеристик толщина базы должна быть порядка микрона или даже долей микрона. Так как базовый слой располагается довольно близко от поверхности, на его однородность могут повлиять различные поверхностные дефекты, размеры которых могут быть также порядка микрона. [33]

В кристаллической структуре мощного диффузионного транзистора, хотя в ней для создания переходов не проводится сплавления, также могут возникнуть напряжения. Эти напряжения могут появиться в результате напайки кристалла на основание корпуса, так как при этом между точкой затвердевания припоя и комнатной температурой может иметься значительный температурный интервал. [34]

Конструктивно-технологические разновидности транзисторов. [35]

При самых тонких базах диффузионные транзисторы способны работать на частотах не более десятков мегагерц. [36]

Диффузионный тран-вистор, установленный на монтажной плате.| Эквивалентная схема дискретного транзистора. [37]

На рис. 222 показан диффузионный транзистор, установленный на монтажной плате. Эту матрицу припаивают или приклеивают к монтажной плате, которая становится коллекторным контактом. Площади базового и эмиттерного контакта каждая в отдельности составляют примерно 0 1x0 3 мм, для этих контактов имеется травленая канавка глубиной 0 01 мм и площадью 0 4x0 4 мм. Верхнюю часть матрицы покрывают фотоэмульсией, облучают светом и проявляют. В результате на поверхностях электродов получаются незащищенные участки. Оставшаяся часть фотоэмульсии служит защитным покрытием. Далее транзистор вставляют в паз керамической платы ( модуля), специально предусмотренный зазор заливают эпоксидной смолой, которая обеспечивает механическую связь. [38]

Сплавной диффузионный транзистор. [39]

Значительные трудности при изготовлении сплавного диффузионного транзистора может вызвать, как и чисто диффузионного, необходимость присоединения вывода к базе, имеющей толщину в несколько микрон. Помимо трудности присоединения зонда к такой тонкой базе, он еще собирает довольно значительное количество инжектированных дырок, так как расположен слишком близко к эмиттеру. [40]

Если ключ собран на низкочастотном диффузионном транзисторе, на первый план выдвигаются процессы, обусловленные его собственной инерционностью. Исследованию этих процессов посвящен следующий параграф. [41]

Этот пробой происходит в эпитаксиальных диффузионных транзисторах с тонким высокоомным слоем коллектора. В этих транзисторах в довольно широком диапазоне токов наблюдался срыв напряжения, сопровождавшийся релаксационными колебаниями с частотой порядка сотен мегагерц. [42]

Существуют и другие методы получения диффузионных транзисторов. Так, например, при изготовлении транзисторов типа П401, П402, П403, П410, П411, П415, П416 используют диффузию примесей из расплавленного электрода, поэтому такие транзисторы иногда называются сплавными диффузионными. [43]

Сопоставление гистограмм показывает заметные преимущества диффузионных транзисторов. [44]

Существует несколько технологически различных методов получения диффузионных транзисторов, причем очень часто различие в технологии приводит и к различным электрическим характеристикам прибора. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5