Диффузионный транзистор

Cтраница 2

Схема диффузионного транзистора типа р-п - р с дополнительным переходом у коллектора. [16]

В случае диффузионного транзистора, у которого удельное сопротивление базы значительно меньше удельного сопротивления коллектора, наличие некоторого потенциала коллектора относительно базовой области вызовет инъекцию электронов из базовой области в коллекторную. Все части коллектора, отстоящие от перехода на величину, не превышающую диффузионную длину электронов, заполнятся электронами. [17]

Принцип устройства планарного транзистора. [18]

Наилучшими из диффузионных транзисторов являются так называемые пленарные транзисторы. У них п - р-переходы образуются диффузией примесей сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника. При этом выводы от всех областей располагаются в одной плоскости. Название планарный дано именно от английского слова planar - плоский. Для изготовления этих транзисторов особенно удобно применять кремний, так как оксидная пленка на его поверхности может служить хорошим защитным слоем. Исходная пластинка кремния с пленкой оксида образует коллекторную область. В том месте, где должна быть базовая область, оксидная пленка снимается травлением и методом диффузии создается базовый слой. Затем всю поверхность снова окисляют и повторяют процесс травления и диффузии для создания эмиттерной области, которая располагается в средней части базовой области. После этого через маску наносятся выводы в виде металлических слоев. [19]

К недостаткам диффузионных транзисторов следует отнести низкие обратные напряжения переходов и трудности получения больших мощностей. [20]

Неоднородность базы диффузионного транзистора сказывается на его электрических характеристиках. Некоторые особенности этого транзистора по сравнению со сплавными следует отметить. [21]

При изготовлении диффузионных транзисторов соединение кристалла с накладкой производится в процессе сборки, когда транзисторная структура в кристалле уже создана. [22]

Ввиду отличия пленарных диффузионных транзисторов от плоскостных по структуре, физическим параметрам и режимам работы указанные модели не могут быть применены непосредственно для анализа интегральных схем. [23]

Для изготовления сплавного диффузионного транзистора на основе германия р-типа в эмиттерную навеску вводится сурьма, имеющая большой коэффициент диффузии, и индий, у которого коэффициент диффузии мал. При плавлении такой навески сурьма диффундирует из нее на довольно большую глубину, а индий - на малую. Из-за разных растворимостей концентрация индия в рекри-сталлизованной области оказывается много большей, чем сурьмы. Таким образом, образуется распределение примесей, близкое к идеальному для дрейфового транзистора. [24]

При использовании диффузионных транзисторов Fmax в основном зависит от среднего времени пролета носителей через область базы т7л / - В схемах на дрейфовых транзисторах более существенно влияние емкости коллектора Ск. В насыщенном триггере начинает сказываться и время рассасывания. [25]

Векторная диаграмма токов ( а и эквивалентная схема транзистора с общим эмиттером ( б на высоких частотах. [26]

При изготовлении диффузионных транзисторов примеси вводятся в пластинку германия способом диффузии, например из газовой среды. За счет этого базу удается сделать весьма тонкой ( 2 - Злк), а предельную ( граничную) частоту довести до 400 - 600 Мгц. [27]

Усилитель на высокочастотных диффузионных транзисторах широкого применения П422 с трансформаторными междукаскадными связями ( рис. 29, а, табл. 12) на средней частоте полосы пропускания 465 кгц дает усиление около 80 дб. Так как транзисторы П422 обладают относительно малой емкостью коллектор - база и резонансные контуры обладают большим затуханием ( шунтированы резисторами), усилитель устойчиво работает без нейтрализации. [28]

Распределение концентрации примеси в кристалле транзистора, полученного методом двойной диффузии ( а. исходная пластина германия я-типа ( б. получение кристалла транзистора ( в. [29]

По этой причине диффузионные транзисторы иногда называют дрейфовыми. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5