Диффузионный транзистор

Cтраница 4

На рис. 13 - 24 схематически показан полевой диффузионный транзистор. Основной особенностью полевых транзисторов является создание полупроводникового канала между стоком и истоком, представляющего собой активное сопротивление, управляемое полем затвора. Сток, исток, затвор аналогичны соответственно коллектору, эмиттеру и базе обычного транзистора. [46]

Что касается толщины коллекторного слоя ( в диффузионных транзисторах), то с точки зрения уменьшения сопротивления насыщения и теплового сопротивления ее целесообразно уменьшать, а для увеличения рабочего напряжения ее необходимо увеличивать, правда, до определенных пределов. [47]

Исследуемая схема. [48]

На рис. 2 показано семейство входных вольтамперных характеристик кремниевых диффузионных транзисторов ТМ-10, которые были выбраны для работы в схемах с непосредственной связью. [49]

Концентрация примесей в дрейфовом транзисторе ( а и б и его энергетическая диаграмма ( в. [50]

В качестве навески при изготовлении, например, германиевого сплавного диффузионного транзистора используется капля германия, содержащая как до-норные ( сурьма), так и акцепторные ( индий) примеси. При сплавлении навески с исходной пластиной р-германия в эту пластину диффундируют атомы той и другой примеси, но длина диффузии и растворимость для сурьмы и индия различны. В результате атомы сурьмы за время вплавления проникают на большую глубину, образуя - область базы, концентрация примесей в которой уменьшается по мере удаления от поверхности. [51]

Слишком большое соотношение шэ / Шб иметь в диффузионных транзисторах нецелесообразно по ряду причин. Во-первых, с увеличением wa / w ( если ffi6 const) уменьшается градиент распределения примеси у эмит-терного перехода, а это, начиная с какого-то значения градиента, приведет к уменьшению коэффициента инжек-ции эмиттера ( см. § 3 - 6), а также к увеличению области тормозящего поля в базе транзистора. Распределение электрически активных примесей в базе транзистора, изготовленного с помощью двойной односторонней диффузии, таково, что при движении от эмиттера к коллектору концентрация примесей увеличивается, а затем спадает. В первом участке возникает поле, тормозящее движение носителей к коллектору, а во втором - ускоряющее. Если градиент распределения примесей у эмит-терного перехода велик, то слой пространственного заряда может захватывать всю область тормозящего поля и торможения происходить не будет, а если градиент уменьшается, то область тормозящего поля расширяется и может не перекрываться областью пространственного заряда. Во-вторых, при увеличении wjwe увеличивается разброс Шб у изготовляемых транзисторов. [52]

Планарным транзистором ( рис. 3.39, б) называют диффузионный транзистор, у которого выводы эмиттера Э, базы Б и коллектора К расположены в одной плоскости. [53]

Устройство сплавного транзистора. / - эмиттер. 2 - коллектор. 3 - база.| Упрощенная схема изготовления диффузионного транзистора. [54]

На рис. 12 - 4 приведена упрощенная схема изготовления диффузионного транзистора. [55]

Поэтому для приближенных расчетов часто пользуются более простыми схемами диффузионных транзисторов ( особенно - рис. 9 - 65, 9 - 66 и 9 - 69), хотя при этом могут возникать расхождения с опытом в значениях отдельных параметров транзистора в 1 5 - 2 раза. [56]

Сравнение различных видов распределения примесей в диффузионных слоях. [57]

Создание п-р - п германиевых и р-п - р кремниебых диффузионных транзисторов - это тоже возможная, но гораздо более сложная задача. В связи с этим такие приборы выпускаются в очень малом количестве и появились значительно позднее. [58]

Фотография шлифа кремниевого сплавного транзистора средней мощности.| Область концентрации тока в мощном сплавном транзисторе ( а и в мощном транзисторе с диффузионной базой ( б. [59]

Может возникнуть вопрос: наблюдается ли подобное явление в мощных диффузионных транзисторах. Рассмотрение структуры мощного транзистора, получеаного с помощью двойной односторонней диффузии таким образом, что диффузия эмиттерной примеси проводилась локально ( см., например, рис. 2 - 15), показывает, что в диффузионном транзисторе указанного эффекта не должно быть. Действительно, если в сплавном кремниевом р-п - р транзисторе вся база легирована равномерно, то в диффузионном транзисторе концентрация примесей в базовой области неравномерна: у поверхности она на несколько порядков величины выше, чем в глубине, на уровне центральной части эмиттерного перехода. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5