Интегральный транзистор
Cтраница 1
 |
Структура горизонтального транзистора р-п-р-ти - па ( а и топология этого транзистора ( б. [1] |
Интегральный транзистор отличается от аналогичного дискретного транзистора, изготовленного по той же планарной технологии, значительно меньшими размерами. Объясняется это тем, что в дискретном планарном транзисторе должны быть контактные площадки для подсоединения проволочных выводов эмиттера, базы и коллектора. Размер контактных площадок должен быть не менее 100x100 мкм. В интегральной микросхеме контактные площадки нужны только для подсоединения выводов от всей схемы. Отдельные же элементы интегральной микросхемы соединены между собой межэлементными соединениями в виде тонких и узких ( несколько микрометров) металлических полос. [2]
Интегральные транзисторы классифицируют по принципу работы, связанному с основной структурой, методу изоляции в ИМС, технологии изготовления, конструкции и другим признакам. Основным технологическим методом создания интегральных транзисторов в настоящее время является эпитаксиалыю-диффузионный с изоляцией элементов обратно-смещенными р-п переходами. [3]
 |
Структура горизонтального транзистора р-п-р-тн - па ( а и топология этого транзистора ( б. [4] |
Интегральный транзистор отличается от аналогичного дискретного транзистора, изготовленного по той же планарной технологии, значительно меньшими размерами. Объясняется это тем, что в дискретном планарном транзисторе должны быть контактные площадки для подсоединения проволочных выводов эмиттера, базы и коллектора. Размер контактных площадок должен быть не менее 100x100 мкм. В интегральной микросхеме контактные площадки нужны только для подсоединения выводов от всей схемы. Отдельные же элементы интегральной микросхемы соединены между собой межэлементными соединениями в виде тонких и узких ( несколько микрометров) металлических полос. [5]
 |
Структура биполярного транзистора со скрытым я - слоем ( а и конфигурация электродов этого транзистора ( б. [6] |
Интегральный транзистор отличается от аналогичного дискретного транзистора, изготовленного по той же планарной технологии, значительно меньшими размерами. Объясняется это тем, что в дискретном планарном транзисторе должны быть контактные площадки для подсоединения проволочных выводов эмиттера, базы и коллектора. В интегральной микросхеме контактные площадки нужны только для подсоединения выводов от всей схемы. Отдельные же элементы интегральной микросхемы соединены между ссбэй межэлементными соединениями в виде тонких и узких ( несколько микрометров) металлических полос. [7]
 |
Диффузионная структура ( а, эквивалентная схема ( б и составная модель ( в вертикального транзистора в интегральном. [8] |
Интегральный транзистор в отличие от дискретного имеет общую подложку с элементами, с которыми он должен быть соединен. Подложка в интегральных схемах служит изолирующей средой. [9]
Интегральный транзистор представляет собой трех-переходный ( четырехслойный) прибор. Поэтому его модель будем описывать системой независимых уравнений третьего порядка, которая связывает токи через выводы электродов областей транзистора с напряжениями, прикладываемыми к ним. [10]
Если интегральные транзисторы предназначаются для использования в высокочастотных аналоговых или быстродействующих цифровых схемах, то коллекторную область целесообразно дополнительно легировать золотом. Это позволяет резко сократить время жизни неосновных носителей заряда, а тем самым и время переключения транзистора. [11]
 |
Схема составного п-р - п транзитора. а - принципиальная. б - эквивалентная. [12] |
Однако составные интегральные транзисторы не обязательно должны создаваться в одной изолированной области, они могут формироваться в разных изолированных областях, а соединяться в составной транзистор с помощью межэлементных соединений ( металлизации), которые представляют собой алюминиевые дорожки на кристалле. [13]
Изготовление интегрального транзистора с диодом Шотки не требует введения дополнительных технологических операций. Необходимо лишь изменить соответствующим образом фотошаблон, применяемый при проведении фотолитографии для снятия диоксида кремния под контакты, и расширить слой напыляемого алюминия за металлургическую границу коллекторного перехода. Однако при снятии диоксида кремния в месте выхода коллекторного перехода на поверхность монокристалла кремния и при обработке этой поверхности перед нанесением алюминиевой металлизации следует предотвратить возможность загрязнения p - n - перехода коллектора некрнтролируемыми примесями. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5