Интегральный транзистор

Cтраница 5

На рис. 5.7 для сравнения даны осциллограммы напряжений на коллекторах ТДШ и традиционного интегрального транзистора, подтверждающие это предположение. Другое замечательное свойство ТДШ заключается в том, что время выхода транзистора из насыщения почти не зависит от температуры, тогда как традиционный транзистор, легированный золотом, обнаруживает сильную температурную зависимость этого параметра. [61]

В качестве примера а рис. 2.1, аи б иллюстрируются два метода изоляции интегрального транзистора, имеющие наиболее широкое применение в технологии изготовления полупроводниковых ИМС различного функционального назначения. [62]

В полученной модели в качестве исходных данных использованы параметры, характеризующие технологию производства четырехслойных интегральных транзисторов. Приведенная модель позволяет также оценить влияние различных технологических факторов на электрические характеристики ИТ. [63]

По данным примера 7 рассчитать основные характеристики диодного ключа, построенного на коллекторном переходе интегрального транзистора, эмиттер которого соединен с базой. [64]

Диодное включение одноэмиттерного транзистора. [65]

Обратное допустимое напряжение этого типа диода равно обратному допустимому напряжению база-эмиттер, которое для кремниевых интегральных транзисторов составляет величину порядка 3 5 В. [66]

В качестве стабилитронов в интегральных схемах могут работать три р - n - перехода стандартного интегрального транзистора: база-эмиттер, база-коллектор, коллектор-подложка. Обратное напряжение пробоя каждого из этих переходов определяется степенью легирования кремния. Для переходов база - коллектор и коллектор-подложка это напряжение равно примерно 45 В. Обратное пробивное напряжение перехода база-эмиттер из-за гораздо более высокой степени легирования эмиттерной области находится в пределах 6 - 7 В, мало зависит от обратного тока пробоя ( в пределах 1 мкА - 1 мА) и безопасно для р - - перехода, если не превышена допустимая мощность, рассеиваемая данной интегральной структурой. Такой стабилитрон является основным в схемотехнике монолитных интегральных схем, так как получение его не требует введения дополнительных процессов в стандартный технологический цикл интегральных схем. [67]

Окисление поверхности под. - ложки после изолирующей диффузии.| Вытравливание окон в слое SiOj под диффузию, используемую для формирования базы интегрального транзистора и резистора. [68]

Следующий этап технологического процесса - вскрытие окон в слое SiO2 под диффузию, формирующую эмиттер интегрального транзистора и нижнюю обкладку конденсатора. На этом этапе важен контроль глубины перехода эмиттер - база, так как расстояние между двумя переходами транзисторной структуры сильно влияет на ее характеристики. Температура, при которой происходит диффузия эмиттерной примеси, иже температуры формирования базы примерно на 50 С. [69]

Транзисторы полупроводниковых ИМС с изоляцией диэлектриком по параметрам близки к дискретным транзисторам, однако у интегральных транзисторов выводы всех электродов выполняются с одной стороны кристалла. [70]

Транзисторы полупроводниковых ИС с изоляцией диэлектриком по параметрам близки к дискретным транзисторам, однако у интегральных транзисторов выводы всех электродов выполняются с одной стороны кристалла. [71]

Временные диаграммы процессов в цепи из трех логических элементов. [72]

Си эфф) - Учитывая указанную особенность рассматриваемой схемы, которая становится особенно заметной при использовании высокочастотных интегральных транзисторов, при анализе переходных процессов будем пренебрегать инерционностью транзистора, считая Рл / ( р) действительной величиной. Находим быстродействие схемы, рассчитывая продолжительность отдельных этапов переходного процесса в цепи, состоящей из трех последовательно включенных логических элементов. [73]

Страницы: 1 2 3 4 5