Интегральный транзистор
Cтраница 3
Основой работы полупроводникового интегрального транзистора является взаимодействие двух р - п переходов, через которые происходит перемещение подвижных носителей обоих знаков - электронов и дырок. Такого типа транзисторы по принципу работы называют биполярными. [31]
Из рассмотренной модели интегрального транзистора нетрудно путем соответствующих упрощений получить модели диффузионного диода и резистора. [32]
 |
Эквивалентная схема интегрального транзистора. [33] |
Еще одно отличие интегрального транзистора вызвано влиянием изолирующего слоя, разделяющего элементы интегральной схемы. [34]
 |
Интегральный диод. [35] |
Еще одна особенность интегрального транзистора заключается в том, что не требуется большое тепловыделение вследствие высокой плотности монтажа. [36]
 |
БО. Транзистор полупроводниковой ИС с изолирующим р-п переходом.| Эквивалентная схема МДП транзистора. [37] |
Емкость Ск в интегральном транзисторе значительно больше, чем в дискретном, из-за увеличенной площади перехода коллектор - база. В изо-планарных транзисторах влияние всех этих паразитных элементов сведено к такому минимуму, что они практически не уступают транзисторам в дискретном исполнении. [38]
Из анализа типовой структуры интегрального транзистора следует, что для формирования диода полупроводниковой ИМС можно применять любой из двух переходов транзистора путем использования пяти различных схем включения. Характеристики диодов в значительной степени определяются способом включения, поэтому при проектировании интегральных диодов имеется широкая возможность получения заданных параметров. [39]
 |
Графики зависимости / к, / э и. [40] |
Типовое значение АК для интегральных транзисторов, используемых в схемах цифровых элементов, равно 5 - 10 Ом. [41]
 |
Схема простейшего транзисторного ключа.| Схема ключа с нелинейной обратной связью в виде диода Шотки.| Конструкция интегрального транзистора с барьером Шотки. [42] |
На рис. 3.32 приведена конструкция интегрального транзистора с барьером Шотки. Алюминиевый пленочный проводник образует с р-слоем базы невыпрямляющий омический контакт, а с я-слоем коллектора - выпрямляющий барьер Шотки. [43]
 |
Диффузионная структура ( а, эквивалентная схема ( б и составная модель ( в горизонтального транзистора. [44] |
Анализ такого транзистора аналогичен анализу интегрального транзистора с изолирующим р - / г-переходом. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5