Интегральный транзистор

Cтраница 4

В качестве диодов используется эмиттерный переход интегрального транзистора при разомкнутом коллекторе. Ток с уровня / 0Н на / б2 и обратно переключается практически скачком. [46]

На рис. 12.32 приведена упрощенная эквивалентная схема интегрального транзистора. [47]

Номограммы для вычисления среднего значения удельной объемной проводимости аг диффузионных слоев кремния р-типа при гауссовом распределении концентрации примесных. [48]

Так как процесс базовой диффузии при формировании интегральных транзисторов типа п-р - п хороню аппроксимируется гауссовой функцией, то приведенные номограммы пригодны для расчета большинства резисторов р-типа. [49]

Структура транзисторов с диодами Шоттки с охранным кольцом ( а и с расширенным электродом ( б. [50]

Диоды Шоттки могут быть использованы совместно с интегральными транзисторами для предотвращения их глубокого насыщения. В этом случае диод Шоттки шунтирует коллекторный переход транзистора. В соответствии с разновидностями конструкций диодов Шоттки возможны две основные разновидности конструкций транзистора с диодами Шоттки, которые на рис. 2.11 приведены для случая изоляции р - - переходом. Транзистор с диодом Шоттки может быть успешно реализован при использовании других методов изоляции, например, изоляции термическим окислом. [51]

Скрытый Л - СЛОЙ располагается под базовой областью интегрального транзистора и в принципе может простираться до площади непосредственно под коллекторным контактом. Фактическое расстояние между изолирующей стенкой р-типа и внутренними элементами транзисторной структуры сильно зависит от диффузии в боковых направлениях. При проектировании транзистора полупроводниковой ИМС следует особо учитывать, что длительность процесса изолирующей диффузии намного превышает длительность диффузии базовой примеси. Поэтому влияние диффузии в боковых - - направлениях при формировании изолированных областей и последующих процессах высокотемпературной обработки является очень существенным. Оптимальным считается такое расположение изолирующей стенки р-типа и внутренних элементов транзисторной структуры, при котором расстояние между ними составляет не менее удвоенной глубины эмиттерного перехода. [52]

Структура биполярного транзистора со скрытым я - слоем ( а и топология электродов этого транзистора ( б. [53]

При этом необходимо также учесть, что выходная емкость интегрального транзистора состоит не только из барьерной емкости коллекторного перехода, но и из барьерной емкости изолирующего перехода между областью коллектора интегрального транзистора и остальной частью кристалла. [54]

На рис. 9 - 3, а показано включение интегрального транзистора в качестве стабилитрона с пробоем перехода база-эмиттер обратным напряжением. [55]

Кроме того, в связи с увеличенным сопротивлением коллекторной области интегральный транзистор имеет повышенное значение напряжения между коллектором и эмиттером в режиме насыщения / / дэ. [56]

Однако даже при наличии скрытого я - слоя сопротивление коллекторной области интегрального транзистора оказывается больше аналогичного сопротивления дискретного транзистора, так как скрытый п - слой отделен от коллекторного электрода высокоомным слоем коллекторной области. [57]

Другая особенность связана с тем, что вывод от коллекторной области интегрального транзистора осуществляется на верхней поверхности кристалла. [58]

Однако даже при наличии скрытого п - слоя сопротивление коллекторной области интегрального транзистора оказывается больше аналогичного сопротивления дискретного транзистора, так как скрытый - слой отделен от коллекторного электрода высокоомным слоем коллекторной области. [59]

Осциллограммы, иллюстрирующие переключение транзистора с диодом Шоттки ( о и обычного транзистора ( б. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5