Интегральный транзистор

Cтраница 2

Топология ( а и структура ( б транзистора ИМС.| Упрощенные эквивалентные схемы транзистора ИМС при включении с общей базой ( о и общим эмиттером ( б. [16]

Структура интегрального транзистора существенно отличается от структуры дискретного транзистора, что в свою очередь приводит к некоторому различию их физических свойств. Основное отличие интегрального транзистора от дискретного заключается в наличии у интегрального транзистора изолирующего р - / г-перехода, необходимость использования которого вызывает появление паразитного транзистора типа р-п - р и увеличение сопротивления тела коллектора. Параметры интегрального транзистора типа п-р - п в значительной степени определяются параметрами паразитного транзистора. [17]

Структура ( а и топология ( б интегрального транзистора.| Структура ( а и топология ( 6 мно-гоэмит герного транзистора. [18]

Площадь интегрального транзистора, структура и топология которого показаны на рис. 2.17, можно рассчитать, исходя из известных площади эмиттера 5э, минимальной ширины контактов б, минимального расстояния между контактами и фронтами диффузии а, а также глубины эпитаксиального слоя хс. [19]

Распределение неосновных носителей заряда в различных областях транзистора при его работе в режиме насыщения. а - в структуре обычного пленарного транзистора. б - в структуре аналогичного транзистора с диодом Шотки, включенным параллельно коллекторному переходу. [20]

Изготовление интегрального транзистора с диодом Шотки не требует введения дополнительных технологических операций. Необходимо лишь изменить соответствующим образом фотошаблон, применяемый при проведении фотолитографии для снятия диоксида кремния под контакты, и расширить слой напыляемого алюминия за металлургическую границу коллекторного перехода. Однако при снятии диоксида кремния в месте выхода коллекторного перехода на поверхность монокристалла кремния и при обработке этой поверхности перед нанесением алюминиевой металлизации следует предотвратить возможность загрязнения p - n - перехода коллектора неконтролируемыми примесями. [21]

Изготовление интегрального транзистора с диодом Шоттки не требует введения дополнительных технологических операций. Необходимо лишь изменить соответствующим образом фотошаблон, применяемый при проведении фотолитографии для снятия двуокиси кремния под контакты, и расширить слой напыляемого алюминия за металлургическую границу коллекторного перехода. Однако при снятии двуокиси кремния в месте выхода коллекторного перехода на поверхность монокристалла кремния и при обработке этой поверхности перед нанесением алюминиевой металлизации следует предотвратить возможность загрязнения / 7-я-перехода коллектора неконтролируемыми примесями. [22]

Структура транзистора изготовления коллектора И диода, с переходом Шоттки шунтирующего переход коллектор. [23]

Структура интегральных транзисторов, в которых использован контакт с переходом Шоттки в качестве коллектора и диода, шунтирующего переход коллектор-база, показана на рис. 13.10. Биполярный транзистор с коллекторным контактом с переходом Шоттки отличается от транзисторов типа р-п - р и п-р - п тем, что при переходе к режиму насыщения в нем отсутствует инжекция неосновных носителей заряда из коллектора в базу, а также нет накопления заряда в области коллектора. [24]

Параметры дискретных и интегральных транзисторов для эквивалентных схем и графов определяются либо экспериментально, либо из справочной литературы, либо их рассчитывают, используя входные и выходные статические ВАХ транзисторов. [25]

Эквивалентная схема интегрального транзистора с общим эмиттером изображена на рис. 1.6. Здесь усилитель-ные свойства транзистора представлены генератором тока Р / Б - Влияние обратно смещенного перехода коллектор - база показано на экивалентной схеме сопротивлением утечки RKB и емкостью СКБ - Изолирующий р - n - переход, шунтирующий коллектор на подложку, представлен емкостью Скп - Обратное сопротивление перехода можно не учитывать. [26]

Частотная характеристика интегрального транзистора ( рис. 1.6) определяется шириной базы WE и величиной емкостей, входящих в эквивалентную схему. [27]

Модель трехслойного паразитного транзистора.| Модель паразитного диода. [28]

Полная модель интегрального транзистора, составленная на основании рассмотренных частей, оказывается сложной и ее используют только в том случае, когда требуется выяснить особенности самой транзисторной структуры. Проектирование ИМС, обычно состоящих из множества транзисторов, очевидно, практически невозможно выполнить по такой сложной модели. Эта модель еще больше усложняется, когда требуется исследовать некоторые особенности транзисторных структур, обусловленные неравномерным распределением потоков носителей вдоль электронно-дырочных переходов. Например, эффекты, вызываемые кумуляцией ( шнурованием) тока, действие распределенного потенциала базы и коллектора ( при работе в насыщении) на плотность тока, влияние пассивных областей на продолжительность времени рассасывания и др. необходимо исследовать, учитывая распределенный характер структуры транзистора. При этом составляется распределенная модель для соответствующего участка транзисторной структуры с неоднородностью в определенных направлениях. [29]

Влиянием подложки интегрального транзистора пренебрегаем. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5