Дрейфовый транзистор

Cтраница 1

Дрейфовые транзисторы обычно изготовляют диффузионным, сплавно-диффузионным и конверсионным методами. [1]

Дрейфовые транзисторы делаются на предельные частоты, в десятки раз более высокие, нежели у сплавных транзисторов. Это объясняется прежде всего уменьшением времени пробега носителей в базе. Кай правило, при изготовлении дрейфовых транзисторов применяется метод диффузии, при котором база может быть сделана очень тонкой. Коллекторный переход получается плавным, и тогда его емкость гораздо меньше, чем емкость сплавных переходов. За счет малой толщины базы коэффициенты усиления аир значительно выше, чем у сплавных транзисторов. Важно также, что метод диффузии позволяет изготовлять транзисторы более точно, с меньшим разбросом параметров и характеристик. [2]

Дрейфовые транзисторы более чувствительны к изменениям температуры окружающей среды. Граничная частота с увеличением температуры несколько падает. [3]

Дрейфовый транзистор - транзистор, у которого движение неосновных носителей в области базы носит характер дрейфа под действием электрического поля. [4]

Дрейфовые транзисторы изготавливаются методом диффузии примесей в твердое тело. При диффузии примеси в базе распределяются неравномерно, что приводит к образованию внутреннего электрического поля, способствующего ускоренному перемещению неосновных носителей от эмиттера к коллектору. В этом случае механизм движения носителей носит не столько диффузионный, сколько дрейфовый характер, поэтому такие транзисторы принято называть дрейфовыми. [5]

Распределение концентрации инжектированных дырок в базе дрейфового транзистора при инверсном включении. [6]

Если дрейфовый транзистор работает в инверсном включении, то главная специфика состоит в том, что собственное поле Е препятствует движению носителей, инжектированных через коллекторный переход. [7]

Заторможенный мультивибратор с разрядом конденсатора через транзистор. [8]

Применяя дрейфовые транзисторы для получения длительностей рабочего хода, измеряемых единицами микросекунд, необходимо предохранить транзисторы от действия обратных напряжений, прикладываемых к их базам. Для этого к базе 7 подключаются диод Дх и источник положительного напряжения Е величиной 1 - 1 5 в ( ряс. Схема включения диода и источника аналогична применяемой в мультивибраторах и блокинг-генераторах на дрейфовых транзисторах. [9]

У дрейфовых транзисторов процесс рассасывания может осложниться тем, что при достаточно большом запирающем токе / g2 рассасывание основного заряда из активной и пассивной областей базы заканчивается весьма быстро, а задержавшийся заряд электронов, накопившихся в коллекторе ( см. с. [10]

Для дрейфовых транзисторов неравенство (5.218) невыполнимо, так как их предельная частота усиления велика. С меньшей стороны величина сопротивления RK ограничивается допустимым током коллектора / КДоп. [11]

Полные эквивалентные схемы транзисторов. [12]

Для дрейфового транзистора со структурой, показанной на рис. 2.30 6, эквивалентная схема несколько другая. Барьерная емкость коллектора в данном случае перезаряжается через разные сопротивления. Часть этой емкости Скбар создает обратную связь, а часть емкости коллектора Скоар, соответствующая периферической базе, не дает обратной связи. Кроме того, из-за высоких рабочих частот, на которых работают дрейфовые транзисторы, в эквивалентной схеме целесообразно учитывать емкости между внешними выводами Скз, Сэб, Ск6, а также объемное сопротивление коллектора. [13]

Зависимость частоты а1 от тока эмиттера. [14]

Для дрейфовых транзисторов существенную роль играет постоянная времени цепи эмиттера, особенно при малых токах. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5