Cтраница 5
В дрейфовых транзисторах емкость эмиттерного перехода ниже, чем в сплавных транзисторах, поэтому эффект падения коэффициента инжекции Y с ростом частоты менее заметен. [61]
В дрейфовых транзисторах C3SjCK и время задержки включения определяется главным образом емкостью эмиттерного перехода. [62]
В дрейфовом транзисторе скорость носителей увеличивается дрейфовым полем, и это приводит различным в численных значениях параметров двух типов транзисторов. Также меняется и концентрация свободных электронов, определяемая концентрацией примесей, поскольку свободные электроны создаются за счет ионизации атомов донорной примеси. В базе происходят диффузионное перераспределение свободных электронов и образование электрического поля. Этот процесс аналогичен созданию запорного слоя при возникновении р - п перехода. [63]
Если создать дрейфовый транзистор на основе арсенида галлия, который является полупроводниковым материалом с более широкой запрещенной зоной, чем кремний, то какое влияние окажет этот факт а величину максимального поля в области базы, низкочастотное значение коэффициента передачи тока, предельную частоту коэффициента передачи тока по сравнению е величинами указанных параметров для транзисторов из германия и кремния. [64]
В основном дрейфовые транзисторы работают при низких и средних уровнях инжекции, реже - при высоких уровнях. [65]