Дрейфовый транзистор
Cтраница 2
 |
Зависимости параметров эквивалентной схемы транзистора от постоянного тока эмиттера ( а и от постоянного напряжения на коллекторе ( б. [16] |
Для дрейфового транзистора со структурой, показанной на рис. 4.29, б, эквивалентная схема несколько другая. Барьерная емкость коллектора в данном случае перезаряжается через разные сопротивления. Часть этой емкости Скбар создает обратную связь, а часть емкости коллектора С бар, соответствующая периферической базе, не дает обратной связи. Кроме того, из-за высоких рабочих частот, на которых работают дрейфовые транзисторы, в эквивалентной схеме целесообразно учитывать емкости между внешними выводами Скэ, Сэб, Ск6, а также объемное сопротивление коллектора. [17]
Для дрейфового транзистора со структурой, показанной на рис. 4.29, б, эквивалентная схема несколько другая. Барьерная емкость коллектора в данном случае перезаряжается через разные сопротивления. Часть этой емкости С к 6ар создает обратную связь, а часть емкости коллектора С к, бар соответствующая периферической базе, не дает обратной связи. Кроме того, из-за высоких рабочих частот, на которых работают дрейфовые транзисторы, в эквивалентной схеме целесообразно учитывать емкости между внешними выводами Скэ, СЭ6, Скб, а также объемное сопротивление коллектора. [19]
Для дрейфовых транзисторов существенную роль играет постоянная времени цепи эмиттера, особенно при малых токах. [20]
Особенностью дрейфовых транзисторов является то, что пробой эмиттерного перехода происходит в них при относительно малых значениях обратного напряжения. [21]
У дрейфового транзистора кроме диффузионного тока в базе течет и дрейфовый ток, создаваемый полем базы. Распределение концентрации неравновесных носителей в базе дрейфового транзистора имеет вид, показанный на рис. 3 - 7, в. В этом транзисторе изменение толщины базы влияет на состояние эмиттерного перехода значительно слабее, чем у бездрейфового. Поэтому толщина базы у дрейфового транзистора при изменении режима практически остается неизменной. [22]
 |
Ключи с общим эмиттером и общим коллектором. [23] |
Для дрейфовых транзисторов, у которых инверсный режим сопровождается движением носителей заряда против поля, величины а / и р / малы. [24]
У дрейфовых транзисторов т может быть больше; гк - сопротивление коллекторного перехода; Ск-емкость коллекторного перехода; гэ - сопротивление эми-терного перехода; / Э0 - постоянная составляющая тока эмитерного перехода; Сэ - диффузионная и переходная емкость эмиттера; Гб - сопротивление базы. [25]
У дрейфовых транзисторов, характерных большими рабочими токами и меньшими емкостями, частота / 7 достигает сотен и тысяч мегагерц. [26]
У дрейфовых транзисторов процесс рассасывания может осложниться тем, что при достаточно большом запирающем токе / g2 рассасывание основного заряда из активной и пассивной областей базы заканчивается весьма быстро, а задержавшийся заряд электронов, накопившихся в коллекторе ( см. стр. Для того чтобы избежать этого явления, нужно обеспечить достаточную длительность запирающего импульса. [27]
 |
Схема струйного электрохимического травления. кристалл. 2 - сопло. 3 - кристаллодержатель. 4-контакт. 5 - струя электролита. [28] |
Для дрейфовых транзисторов характерно наличие в базе электрического поля, вызванного градиентом концентрации примесей. Неравномерность распределения примесей в базе таких транзисторов обусловливается применением для их изготовления метода диффузии. [29]
 |
Блокинг-генератор на транзисторе с обшей базой в схеме формирования импульсов. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5