Дрейфовый транзистор
Cтраница 4
В дрейфовых транзисторах, характерных сравнительно толстым и ЕЫСОКООМНЫМ коллекторным слоем, накопление избыточных носителей происходит не только в базе, но и в коллекторе. Значит, наряду с инжек-цией дырок из коллектора в базу имеет место заметная инжекция электронов из базы в коллектор. [46]
 |
Устройство дрейфовых транзисторов. диффузионный транзи. [47] |
В дрейфовых транзисторах перенос носителей заряда через базу осуществляется под действием ускоряющего электрического поля, которое создается за счет неравномерного распределения концентрации примесных атомов. От бездрейфовых транзисторов они отличаются также меньшей величиной поперечного сопротивления базы ГБ ( из-за увеличения концентрации основных носителей заряда около эмиттера) и большей шириной коллекторного перехода ( из-за уменьшения концентрации основных носителей заряда около коллектора), вследствие чего снижается емкость коллекторного перехода Сак и возрастает пробивное напряжение коллектора. [48]
В дрейфовых транзисторах степень легирования базовой области значительно выше, чем в бездрейфовых, что является благоприятным фактором для применения формулы Шоттки - Мотта. [49]
В дрейфовых транзисторах коэффициент AI существенно уменьшается из-за имеющегося электрического поля базы, препятствующего теперь прохождению дырок от коллекторного перехода через базу, что способствует их усиленной рекомбинации. [50]
 |
Устройство высокочастотного сплавного диффузионного транзистора. [51] |
В дрейфовых транзисторах из-за высокой концентрации примесей в эмиттере и в базе у эмиттерного перехода этот переход получается очень узким, что, естественно, должно привести к увеличению барьерной емкости Сэ. Однако описанные технологические методы позволяют существенно уменьшить площади переходов, особенно эмиттерного перехода, и емкость Сэ бар в результате получается небольшой. [52]
В дрейфовых транзисторах, имеющих ускоряющее поле в области базы, механизм переноса тока не является чисто диффузионным и поэтому в базе дрейфовых транзисторов происходит относительно меньшее накопление заряда. Кроме того, технология дрейфовых транзисторов позволяет получать значительно более тонкие ( до 1 мк) слои базы. Все соотношения ( 1), ( 2) и ( 3) остаются справедливыми и в этом случае; в ф-ле ( 3) коэфф. [53]
 |
Структурные схемы транзисторов. [54] |
В дрейфовых транзисторах носители в базовой области движутся вследствие диффузии и дрейфа в электрическом поле базы. [55]
В дрейфовых транзисторах со сравнительно толстым и высокоомным коллекторным слоем накопление избыточных носителей происходит не только в базе, но и в коллекторе. Значит, наряду с инжекцией дырок из коллектора в базу имеет место заметная инжек-ция электронов из базы в коллектор. В связи с большой величиной рк время жизни электронов в коллекторе сравнительно велико, а следовательно, велика и диффузионная длина. В результате в коллекторе накапливается заряд избыточных электронов и соответствующий заряд компенсирующих дырок. [56]
 |
Устройство высокочастотного сплавного диффузионного транзистора. [57] |
В дрейфовых транзисторах из-за высокой концентрации примесей в эмиттере и в базе у эмиттерного перехода этот переход получается очень узким, что, естественно, должно привести к увеличению барьерной емкости Сэ. Однако описанные технологические методы позволяют существенно уменьшить площади переходов, особенно эмиттерного перехода, и емкость Сэ бар в результате получается небольшой. [58]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей в насыщенном транзисторе. [59] |
В дрейфовых транзисторах, имеющих ускоряющее поле в области базы, механизм переноса тока не является чисто диффузионным и поэтому в базе дрейфовых транзисторов происходит относительно меньшее накопление заряда. Кроме того, технология дрейфовых транзисторов позволяет получать значительно более тонкие ( до 1 мк) слои базы. Все соотношения ( 1), ( 2) и ( 3) остаются справедливыми и в этом случае; в ф-ле ( 3) коэфф. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5