Дрейфовый транзистор

Cтраница 3

Для дрейфового транзистора включение этого диода обязательно, так как без него произойдет пробой участка эмиттер - база транзистора. [31]

Зависимости параметров эквивалентной схемы транзистора от постоянного тока эмиттера ( а и от постоянного напряжения на коллекторе ( б. [32]

Для дрейфового транзистора со структурой, показанной на рис. 4.29, б, эквивалентная схема несколько другая. Барьерная емкость коллектора в данном случае перезаряжается через разные сопротивления. C 6ap, соответствующая периферической базе, не дает обратной связи. Кроме того, из за высоких рабочих частот, на которых работают дрейфовые транзисторы, в эквивалентной схеме целесообразно учитывать емкости между внешними выводами Скэ, С9б, Ск6, а также объемное сопротивление коллектора. [33]

Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока базы транзистора от. [34]

Для дрейфовых транзисторов существенную роль играет постоянная времени цепи эмиттера, особенно при малых токах. [35]

Общие виды транзисторов большой. [36]

Для дрейфовых транзисторов характерно наличие в базе электрического поля, вызванного неравномерностью распределения примесей. [37]

У дрейфовых транзисторов, характерных большими рабочими токами и меньшими емкостями, частота / Y достигает тысяч мегагерц. [38]

Для высокочастотных дрейфовых транзисторов ( П416, ГТ308, ГТ311, 2Т319 и др.) нет какой-либо аналитической зависимости для хотя бы примерной оценки т и ее часто приходится определять экспериментально. [39]

Для высокочастотных дрейфовых транзисторов гарантированная величина / т может быть определена как произведение би / и, где / и - фиксированная частота измерений, а ВИ - минимальное значение коэффициента В на этой частоте. Обе эти величины указываются в технических условиях. [40]

Для высокочастотных дрейфовых транзисторов применяется цветная маркировка: около вывода эмиттера наносится красная метка, средний вывод является коллектором и последний - базой. [41]

Распределение концентрации N неосновных носителей в области базы транзистора, переключенного из режима отсечки в активный режим. 9 - эмиттер. Б - - заряд неосновных носи.| Распределение концентрации неосновных носителей в насыщенном транзисторе. QH - избыточный заряд в базе насыщенного сплавного транзистора. Qf2 - избыточный заряд в насыщенном дрейфовом транзисторе с высокоомным телом коллектора. [43]

Для высокоскоростных дрейфовых транзисторов типичны след, величины параметров: тпр 0 15 нсек ( Д2б 0 15 - 10 - 1а к / ма тока коллектора); / т 103 Мгц; t - 10 нсек; СЭ СК 2 пф; г б 10 - 50 ом; rg - CK 10 - 50 псек. Транзисторы, обладающие такими скоростными хар-ками, обеспечивают в ненасыщенных ключевых схемах времена переключения: ф1 5 нсек, ta2 нсек и с2 нсек. [44]

Разделение полного заряда в базе на две составляющие, соответствующие собираемому и инжектируемому компонентам коллекторного тока.| Накопление носителей в базе. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5