Дислокация - противоположный знак
Cтраница 1
Дислокации противоположного знака, порождаемые при этом источником, и дислокации в скоплении будут взаимно уничтожаться, что приведет к падению т и при т /: ткр t работа источника прекратится. Случай т ткр т может возникнуть при достаточно больших пластических деформациях сдвига. [1]
 |
Дислоцированный кристалл с топологическим дальним порядком. [2] |
Увеличение плотности дислокаций противоположных знаков, не нарушая ближнего порядка, приводит к аморфизации структуры в целом. Поэтому аморфное твердое тело можно представить себе как предельное состояние кристалла со столь большим числом дислокаций, что среднее расстояние между ними сравнивается по порядку величины с периодом решетки. Однако нас интересует кристаллическое состояние, существование которого предполагает, что внесенные дислокациями искажения дальнего порядка в некотором смысле малы. Эти искажения обнаруживаются при выполнении процедуры, использованной для определения понятия дислокации в кристалле. Повторим ее, так как в данном случае такая процедура приобретает принципиальное значение. Основываясь на локальном ближнем порядке в кристалле, осуществим обход по некоторому макроскопическому контуру, который был бы замкнутым, если бы мы проходили его в идеальном кристалле. [3]
В случае дислокации противоположного знака темные и светлые области, очевидно, поменяются местами. Противоположный контраст будет и тогда, когда экстинкционный контур, соответствующий отражению, вызывающему контраст, проходит с другой стороны изображения дислокации, ибо это соответствует отклонению угла падения от условия Брэгга в противоположном направлении. [4]
 |
Взаимодействие дислокаций противоположных знаков, расположенных в двух параллельных плоскостях скольжения. [5] |
В случае большого удаления дислокаций противоположных знаков между ними, как показано выше, действуют силы притяжения. [6]
Диполь определяется как система двух дислокаций противоположных знаков, расположенных в двух параллельных плоскостях скольжения на небольшом расстоянии одна от другой. [7]
Субструктурная перестройка происходит путем аннигиляции ближайших дислокаций противоположного знака в стенках ячеек и путем перестройки этих стенок в более упорядоченные и низкоэнергетические ряды. [8]
К исчезновению дислокаций приводят аннигиляция двух дислокаций противоположного знака при их взаимодействии и выход дислокации на поверхность кристалла. Исчезновение упругого поля дислокации при этих процессах порождает упругую волну. [9]
Повышение температуры деформации, способствуя аннигиляции дислокаций противоположных знаков и выстраиванию избыточных дислокаций в дислокационные субграницы, уменьшает критическую степень деформации, необходимую для начала образования разориен-тированных ячеек, и при повышении температуры до 0 35 - 0 4 Тпл разориентированная ячеистая структура начинает формироваться уже на ранних стадиях деформации. [10]
Зарождение трещины может произойти в результате аннигиляции дислокаций противоположных знаков, движущихся в близко расположенных параллельных плоскостях скольжения. [11]
 |
Укрупнение субзерен в горячедеформированном кремнистом железе ( стрелками указаны растворяющиеся субграницы. а, б - X 600. в, г - Х700. [12] |
Отрывающиеся дислокации или аннигилируют при встрече с дислокациями противоположного знака, или выходят на соседние субграницы. Возможность коалесценции субзерен путем растворения субграниц недавно показана электронномнкроскопиче-ски [8 ] и объясняется выходом дислокаций из исчезающих субграниц на соседние субграннцы. С увеличением угла разориентации усиливается склонность к росту субзерен путем миграции субграниц. [13]
Уменьшение числа ямок травления после отжига отвечает погашению дислокаций противоположного знака. [14]
На величину критического напряжения оказывают влияние силы взаимодействия дислокаций противоположных знаков, расположенных в данной плоскости скольжения. Ввиду этого критическое напряжение зависит от плотности дислокации. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5