Дислокация - противоположный знак
Cтраница 3
Возникает ситуация, когда к поверхности движется скопление дислокаций одного знака ( положительных), тогда как скопление дислокаций противоположного знака остается в глубине кристалла неподвижным. [31]
Одновременно с деформационным упрочнением в ходе пластического течения развиваются термически активированные процессы отдыха: рассасываются дислокационные скопления, аннигилируют дислокации противоположных знаков и разноименные ступеньки на дислокациях. По мере возрастания напряжения энергия активации этих процессов понижается. При быстром увеличении скорости отдыха резко снижается скорость упрочнения и происходит переход к следующей стадии пластического деформирования. [32]
Первый член в правой части ( 134) описывает процесс размножения дислокаций за счет двойного поперечного скольжения, второй - аннигиляцию дислокаций противоположного знака. [33]
Эти явления обусловлены диффузией точечных дефектов, осаждающихся на дислокациях и вызывающих переползание краевых дислокаций, которое может привести к взаимной аннигиляции дислокаций противоположного знака. [34]
 |
Двойник внутри кристалла. [35] |
Предположим, что в начале координат ( к 0) расположен источник двойникующих дислокаций, который способен создавать под действием приложенной нагрузки любое количество пар прямолинейных дислокаций противоположных знаков. [36]
 |
Кривые текучести металлов и сплавов при различных темпе-ратурно-скоростных условиях деформации. [37] |
На / / / стадии деформации происходит некоторое снижение искажений кристаллической решетки, дислокации при своем движении обходят препятствия и барьеры, наблюдается реакция между дислокациями противоположных знаков со взаимным их уничтожением и уменьшением поля внутренних напряжений в металле. [38]
В деформированных изгибом и отожженных монокристаллах возврат происходит путем термически активируемого сдвига в областях металла с - высокими упругими искажениями, а также в результате аннигиляции дислокаций противоположных знаков, требующего как переползания, так и сдвига отдельных дислокаций. В этом случае полигонизация происходит в две стадии. На первой стадии образуются короткие, близко расположенные границы, содержащие пять - десять дислокаций, так что угол дезориентации весьма мал. Такие границы образуются благодаря переползанию отдельных дислокаций, возникающих в процессе пластической деформации. В дальнейшем в результате процесса сдвига и переползания всего комплекса границы соединяются. Вторая стадия связана с объединением более длинных границ путем поворота свободного конца границы с упругими искажениями и его соединения с другой границей. При этом образуется Y-об-разный стык. Движущей силой процесса является энергия на конце границы внутри кристалла; граница сдвигается, пока ее свободный конец не соединится со смежной границей. Y-образ-ный стык движется затем в направлении ответвления, пока границы не сольются в одну границу с большим углом дезориентации. При этом энергия образовавшейся границы уменьшается. В дальнейшем дислокации в пределах вновь образованной границы перестраиваются ( путем переползания) и граница выпрямляется. [39]
 |
Схема эволюции микроструктуры в ходе ИПД ( текст. [40] |
Однако при дальнейшей деформации происходит уменьшение толщины стенок и плотность дислокаций в них становится выше критической [55], что приводит к развитию возврата, заключающегося в аннигиляции дислокаций противоположного знака. В результате в стенках ячеек остаются избыточные внесенные дислокации двух знаков ( рис. 1.31 е), которые играют разную роль. [41]
Точечные дефекты возникают в результате движения дислокаций со ступеньками, неполной аннигиляции сегментов дислокаций противоположных знаков, лежащих в близких плоскостях скольжения, в результате рекомбинации отрезков дислокаций противоположных знаков, проходящих близко друг от друга в соседних плоскостях скольжения и поперечного скольжения дислокаций. [42]
С увеличением степени деформаций увеличивается и количество дислокаций, при этом становится все труднее сдвинуть каждую из дислокаций из занимаемого ею положения, так как притяжение ее ближайшими соседними дислокациями противоположного знака возрастает. [43]
Если использовать представление о дополнительной полуплоскости, то можно сказать, что, например, в антимониде индия дислокации одного знака имеют дополнительную полуплоскость, оканчивающуюся атомами индия, тогда как дислокации противоположного знака имеют дополнительную полуплоскость, оканчивающуюся атомами сурьмы. Эти два вида дислокации также по-разному влияют на электрические свойства антимонида индия. Дислокации, у которых лишняя полуплоскость оканчивается атомами индия, обусловливают проводимость р-типа, тогда как дислокации противоположного знака - проводимость п-типа. [44]
 |
Схема единичной винтовой дислока - [ IMAGE ] Перемещение дис-ции ( а и смещение плоскостей кристаллической локационной линии в пло-решетки ( б скости скольжения моно. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5