Дислокация - противоположный знак
Cтраница 4
Естественно, что это правило знаков имеет чисто формальный характер, так как при повороте образца верхним концом вниз знак дислокации изменяется на обратный, однако правило знаков необходимо для расчета взаимодействия дислокаций противоположных знаков. [46]
Хольт [276], используя математический аппарат, развитый для анализа спинодального распада пересыщенных твердых растворов, впервые показал, что движущей силой перестройки, вызывающей образование модулированной структуры, является уменьшение общей упругой энергии системы за счет взаимодействия дислокаций противоположного знака. [47]
 |
Изменение параметра а в зависимости от расстояния источника дислокаций от поверхности D, отнесенного к расстоянию от источника до препятствия R т [. [48] |
Аналогичные результаты получены на модели, учитывающей скопление дислокаций у препятствия ( рис. 68), что соответствует второй стадии деформации в ГЦК-металлах, в которых считается, что препятствиями для скольжения являются сидячие дислокации Ломера-Коттрела, устойчивые пары дислокаций противоположного знака на ближайших плоскостях скольжения, переплетенные дислокации и пороги на них. [49]
 |
Изменение свойств холодподеформированвых образцов никеля ( а и а-железа ( б. / - Взп. 2 - Р2М. 3 - НВ. 4 - ДВД. [50] |
Такое изменение связано с перестройкой дислокаций одного знака в стенки, образующие малоугловые границы блоков ( полигонов), разориентированных относительно друг друга. Дислокации противоположных знаков частично аннигилируют. Упругая энергия малоугловых границ значительно меньше, чем энергия того же числа изолированных дислокаций. [51]
Третий из показанных на рис. 2.44, а импульсов соответствует процессу акселерационного типа. Когда дислокации противоположного знака сближаются и аннигилируют или дислокация выходит на поверхность кристалла и исчезает, их энергия преобразуется в упругую. Процессы сближения или выхода на поверхность дислокаций происходят с ускорением, отсюда название импульса этого типа. [52]
Если в одной и той же плоскости лежат положительная и отрицательная дислокации, то при сближении они будут взаимно уничтожаться, так как при положительной дислокации выше плоскости дислокации одним атомом больше, а при отрицательной - одним атомом меньше, чем ниже этой плоскости. Таким образом, дислокации противоположных знаков притягиваются. Явление отталкивания дислокаций одинаковых знаков и притяжения дислокаций противоположных знаков справедливо не только для дислокаций, расположенных в одной плоскости, но и для дислокаций, расположенных в разных плоскостях. [53]
В результате взаимодействия дислокаций противоположного знака может происходить аннигиляция дислокаций; однако плотность дислокаций при этом будет понижаться не больше чем вдвое. С другой стороны, вследствие размножения дислокаций во время выращивания кристалла число дислокаций в единице объема может возрастать очень сильно. Если дислокации, образовавшиеся с помощью одного из вышеописанных механизмов, в результате скольжения или переползания переместятся таким образом, что станут оканчиваться на поверхности раздела кристалл - расплав, они могут сохраняться в течение всего процесса роста и проходить через весь кристалл. [54]
Дислокации с вектором Бюргерса а [100] расположены на линии пересечения плоскостей скольжения 211 и составляют основу сложных дислокационных образований сгустков [12], которые при частоте нагружения 36 герц имеют определенную кристаллографическую направленность. Наличие уравновешенного количества дислокаций противоположных знаков в пространственной сетке приводит к ди-польному характеру взаимодействия отдельных звеньев сетки и отсутствию разориентировки. [55]
 |
Механизм затягивания кислорода по активным полосам скольжения при многократных деформациях металла. [56] |
Другой механизм, предложенный Фудзитой, связан с окислением поверхности ступеньки, возникающий в первой половине цикла. В следующей половине цикла дислокации противоположного знака приводят к уничтожению ступеньки. Одновременно происходит затягивание внутрь кристалла и поверхностного оксидного слоя. Благодаря диффузии часть атомов кислорода остается в объеме. Они образуют стабильные препятствия типа оксидных частиц, что приводит к скоплению дислокаций и последующему развитию микротрещин и усталостному разрушению металла. Схематически этот процесс показан на рис. 3.38. Наличие пленки покрытия на поверхности металла препятствует затягиванию кислорода в объем металла и тем самым затрудняет развитие усталостных трещин. [57]
Взаимодействие дислокаций выражено во взаимодействии ( суммировании) полей их напряжений, при этом изменяется суммарный уровень потенциальной энергии системы. Энергетически выгодным будет взаимодействие одинаковых дислокаций противоположного знака, приводящее к их аннигиляции. [58]
 |
Линии скольжения в аустенитной стали ( Ni - 12 %. Сг - 18 %. Mb - 1 0 / о. С - 0 1 %, деформированной на 10 %. В некоторых кристаллитах видны две системы линий скольжения. X 400. [59] |
Влияние одних дислокаций на перемещение других связано с наличием поля упругих напряжений вокруг них. Дислокации одного знака отталкиваются, дислокации противоположных знаков, лежащие в одной и той же плоскости скольжения, притягиваются и взаимоуничтожаются. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5