Cтраница 5
Отмечено, что с приближением дислокации к свободной поверхности ее энергия деформации уменьшается, так ка к поверхность дает выход полю дислокаций и возникает сила, выталкивающая дислокации на поверхность. Эта сила приблизительно равна силе взаимодействия двух дислокаций противоположных знаков в бесконечном твердом теле, если одна из них является зеркальным отображением другой, находящейся по другую сторону от поверхности. Однако силе, стремящейся вывести краевую дислокацию на поверхность, тело оказывает сопротивление, пропорциональное работе образования новой площадки на поверхности. [61]
Такое напряжение должно получаться от действия внешних сил для возможности существования указанной плотности дислокаций. Чем выше напряжение, тем больше число дислокаций противоположного знака, которые могут присутствовать в рассматриваемой плоскости, и тем выше плотность дислокаций. Так как расстояние между соседними дислокациями зависит от напряжения, обусловленного действием внешних сил, то энергия активации, необходимая для образования и разделения двух дислокаций противоположного знака, также зависит от этого напряжения. [62]
В случае абсолютно чистой, поверхности с приближением дислокации к поверхности ее энергия деформации уменьшается, так как поверхность дает выход полю дислокаций и возникает сила, выталкивающая ее на поверхность. Эта сила приблизительно равна силе взаимодействия двух дислокаций противоположного знака, если вторая дислокация является зеркальным отображением первой по другую сторону поверхности. Однако силе, выталкивающей краевую дислокацию на поверхность, оказывается сопротивление, пропорциональное работе образования ступеньки на поверхности. [63]
Последнее связано с тем, что в процессе образования двойника область выхода плоскости двойникования на поверхность кристалла может быть подвергнута искажениям недислокационного типа. В силу закона сохранения вектора Бюргерса одновременно рождаются дислокации противоположного знака, причем число положительных дислокаций равно числу отрицательных. Будем считать внешнюю нагрузку такой, что под ее действием отрицательные дислокации выходят на поверхность кристалла, создавая на ней характерную ступеньку, а положительные перемещаются в область OQ х L, где создают двойниковый клин. [64]