Дислокация - противоположный знак
Cтраница 2
 |
Лауэграмма деформированного графитового монокристалла после отжига ( 2800 С, 2 ч.| Схема распределения дислокаций в деформированном изгибом кристалле. [16] |
Избыточные дислокации одного знака, не встретившиеся с дислокациями противоположного знака, под влиянием упругого взаимодействия образуют границы, перпендикулярные плоскости скольжения и не вызывающие появления дальнодействующих полей напряжения. [17]
Пройдя расстояние L, дислокации аннигилируют путем переползания к дислокациям противоположного знака, которые образуются на соседних плоскостях скольжения. [18]
При рассмотрении взаимодействия дислокаций можно считать дислокацию изолированной, если ближайшая дислокация противоположного знака находится не ближе 10: i межатомных расстояний. Две параллельные плоскости скольжения, находящиеся на расстоянии Ls одна от другой и содержащие дислокации противоположного знака, показаны на рис. 84, а. Положительная дислокация, перемещаясь вправо, приближается к отрицательной дислокации. [19]
 |
Трещина Гриффитса как группа нагроможденных дислокаций, восходящих перпендикулярно их вектору Бюргерса Ь. [20] |
В процессе пластической релаксации часть полей напряжений лидирующих дислокаций нейтрализуется дислокациями противоположного знака с, притягивающимися к вершине трещины из объема. [21]
Пластическое течение, необходимое для роста трещины, моделируется двумя скоплениями дислокаций противоположных знаков, расположенных под углом 45 к оси растяжения. Дальнейшее развитие трещины требует образования двух других скоплений идентичной длины, что может быть достигнуто только при более высоком приложенном напряжении. [23]
Точечные дефекты возникают в результате движения дислокаций со ступеньками, неполной аннигиляции сегментов дислокаций противоположных знаков, лежащих в близких плоскостях скольжения, в результате рекомбинации отрезков дислокаций противоположных знаков, проходящих близко друг от друга в соседних плоскостях скольжения и поперечного скольжения дислокаций. [24]
При этом единственным источником упрочнения являются дислокационные диполи ( образуемые при слиянии двух параллельных дислокаций противоположного знака), вызывающие направленные искажения, блокирующие перемещение дислокаций. Стадия легкого скольжения заканчивается образованием достаточно большого количества диполей и связанных с ними трехмерными клубками дислокаций, способствующих к возникновению скольжения по системам, пересекающим первичную. Другими словами, существует некоторая критическая плотность дислокаций, по достижению которой скольжение происходит по вторичным системам скольжения, что приводит к резкому росту упрочнения за счет взаимодействия пересекающихся дислокаций. При этом плотность дислокаций с увеличением деформации возрастает быстрее, чем линейная функция. Длина свободного пробега дислокаций непрерывно уменьшается, что подтверждается данными об уменьшении длины линий скольжения. [25]
При этом единственным источником упрочнения являются дислокационные диполи ( образуемые при слиянии двух параллельных дислокаций противоположного знака), вызывающие направленные искажения, блокирующие перемещение дислокаций. Стадия легкого скольжения заканчивается образованием достаточно большого количества диполей и связанных с ними трехмерными клубками дислокаций, способствующих к возникновению скольжения по системам, пересекающим первичную. Другими словами, существует некоторая критическая плотность дислокаций, по достижению которой скольжение происходит по вторичным системам скольжения, что приводит к резкому росту упрочнения за счет взаимодействия пересекающихся дислокаций. При этом плотность дислокаций с увеличением деформации возрастает быстрее, чем линейная функция. Длина свободного пробега дислокаций непрерывно уменьшается, что подтверждается данными об уменьшении длины линий скольжения. [26]
В дальнейшем при отжиге происходит перегруппировка дислокаций и частичное их взаимоуничтожение при встрече с дислокациями противоположного знака. [27]
 |
Схема по-лигонизации и образования границ. [28] |
Перемещение дислокаций идет при более высоких температурах и приводит лли к уменьшению их концентрации за счет аннигиляции дислокаций противоположных знаков или к их перераспределению с образованием более равновесных дислокационных сеток. Последний процесс называют полигонизацией. [29]
 |
Схема измерения пространственного распределения переходного излучения звука. 1 - кристалл, 2 - двойник, 3 - источник излучения, 4 - пьезодатчик. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5