Однополярное управление
Cтраница 1
 |
Усредненные характеристики г3. [1] |
Однополярное управление германиевыми низкочастотными транзисторами применимо лишь в низко-омных схемах транзисторных модуляторов и при низких температурах окружающей среды. При использовании германиевых высокочастотных транзисторов, имеющих при однополярном управлении большую величину г3, однополярное управление применимо в более широком диапазоне температур и в более высокоомных схемах, чем при использовании низкочастотных германиевых транзисторов. [2]
Использование однополярного управления позволяет снизить величину полного остаточного тока транзистора типа П16 на два-три порядка. [3]
 |
Устойчивые положения ротора при несимметричном управлении. [4] |
При однополярном управлении напряжение на каждой фазе изменяется в пределах от нуля до U, а при разнополярном управлении - от - U до И. Управление называется симметричным, если для каждого устойчивого состояния возбуждается одинаковое число обмоток. [5]
При однополярном управлении, как уже отмечалось, напряжение на одном из / 7-п-переходов транзистора ( например, на эмиттер ном при нормальном включении транзистора) значительно меньше температурного потенциала рт. Так как динамическое сопротивление закрытого транзистора должно определяться вблизи точки UK3 0, то при однополярном управлении напряжения на обоих р-я-переходах можно считать близкими по величине и достаточно малыми. [6]
Переход на однополярное управление позволяет снизить величину остаточного тока транзистора типа П103 на три-четыре порядка. [7]
В случае однополярного управления, при использовании в схемах модуляторов германиевых транзисторов резко снижается величина динамического сопротивления закрытого транзистора, и поэтому его влияние уже необходимо учитывать при определении коэффициента преобразования модулятора. [8]
 |
Эффективность различных способов однополярного управления. [9] |
Для осуществления эффективного однополярного управления в схемах модуляторов, выполненных на кремниевых транзисторах, применяются схемы рис. 1 - 34, бив. [10]
 |
Способы осуществления однополярного управления. [11] |
Однако осуществить режим идеального однополярного управления не представляется возможным из-за отсутствия идеальных детектирующих устройств. Поэтому в реальных схемах осуществления однополярного управления с полупроводниковыми диодами в качестве вентиля ( рис. 1 - 34) всегда к транзистору в закрытом состоянии приложено некоторое запирающее напряжение. [12]
Вследствие этого при однополярном управлении влияние токов утечки между электродами транзистора сказывается слабее, чем при двухполярном; в подавляющем большинстве случаев им можно пренебречь. [13]
 |
Схема коммутации транзисторного ключа. [14] |
Запирание транзистора при однополярном управлении характерно тем, что на базу транзистора не подается запирающее напряжение и коллекторный переход оказывается зашунтированным сопротивлениями R5 и Ru. Выброс напряжения является следствием разряда емкостей переходов через указанные сопротивления. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5