Однополярное управление
Cтраница 4
 |
Возможные режимы работы транзистора при одно-полярном управлении. [46] |
В табл. 1 - 3 приведены результаты измерения динамического сопротивления транзисторов различных типов, включенных по схемам рис. 1 - 36 при однополярном управлении и температуре 25 С. [47]
 |
Возможные режимы работы транзистора при одно-полярном управлении. [48] |
Данные таблицы хорошо иллюстрируют соотношение ( 1 - 144) между динамическими сопротивлениями транзистора для различных схем включения и способов коммутации при однополярном управлении. [49]
Следует отметить, что при использовании в этой же схеме кремниевого транзистора типа П103, динямичегкое сопротивление которого в закрытом состоянии при однополярном управлении в соответствии с рис. 1 - 39 в этом диапазоне температур больше 1 Мом, коэффициент преобразования напряжения с переходом на однополярное управление практически не уменьшится. [50]
Меняя в выражении ( 1 - 136) соответствующие индексы, можно получить выражение для динамического сопротивления закрытого транзистора в инверсном включении при однополярном управлении и коммутации его током. [51]
При определении токов / К и / Э Н по приведенным формулам необходимо, естественно, предварительно убедиться, что величина динамического сопротивления закрытого транзистора при однополярном управлении практически полностью определяется диффузионными параметрами р-л-переходов транзистора. [52]
Зависимость / ср от величины сопротивления R6 иллюстрируется рис. 2 - 36, на котором даны кривые переходного процесса при запирании транзистора типа П102 в инверсном включении в случае однополярного управления. [54]
В табл. 1 - 2 даны рассчитанные по приведенным выражениям значения полных остаточных токов и их составляющих для нормального и инверсного включений транзисторов типа П16, П403 и ПЮЗ при двухполярном и однополярном управлении. Расчетные данные хорошо согласуются с результатами эксперимента. [55]
 |
Эквивалентная схема транзисторного модулятора при двухполярном управлении. [56] |
При этом оказывается, что при двухполярном управлении как процесс отпирания, так и процесс запирания транзистора могут быть разбиты на те же интервалы, что и процесс переключения транзистора при однополярном управлении. [57]
Если же переходные процессы при переключении транзистора оказывают существенное влияние на нулевой уровень ( источники t / cp и / ср соизмеримы с источниками U0 и / 3), то по-прежнему остается в силе сделанный во второй главе вывод о преимуществе однополярного управления перед двухполярным для любых типов транзисторов. [58]
Следует отметить, что при использовании в этой же схеме кремниевого транзистора типа П103, динямичегкое сопротивление которого в закрытом состоянии при однополярном управлении в соответствии с рис. 1 - 39 в этом диапазоне температур больше 1 Мом, коэффициент преобразования напряжения с переходом на однополярное управление практически не уменьшится. [59]
При однополярном управлении, как уже отмечалось, напряжение на одном из / 7-п-переходов транзистора ( например, на эмиттер ном при нормальном включении транзистора) значительно меньше температурного потенциала рт. Так как динамическое сопротивление закрытого транзистора должно определяться вблизи точки UK3 0, то при однополярном управлении напряжения на обоих р-я-переходах можно считать близкими по величине и достаточно малыми. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5