Однополярное управление

Cтраница 2

Это объясняется тем, что хотя однополярное управление и позволяет устранить источник тока из полной эквивалентной схемы транзисторного ключа рис. 4 - 8, а, наличие конечного динамического сопротивления закрытого транзистора вызывает появление эквивалентной токовой составляющей, величина которой пропорциональна остаточному напряжению на открытом транзисторе. [16]

Для транзистора типа П403 переход на однополярное управление оказывается еще более эффективным, так как позволяет снизить величину остаточного тока по сравнению с двухполярным управлением на три-четыре порядка. [17]

Изменение напряжений на транзисторе в течение третьего интервала процесса отпирания. [18]

Таким образом, процесс отпирания транзистора при однополярном управлении от источника тока может быть разбит на три интервала, отличающихся друг от друга преобладающим влиянием тех или иных физических процессов в транзисторе. [19]

Концом второго интервала, как и при однополярном управлении, считается момент времени, когда напряжение на эмиттерном переходе достигает граничного значения и эб. [20]

Для германиевого транзистора с указанными параметрами при однополярном управлении эта частота составляет 100 кгц, а при двухполярном и Е3 2 в - около 1 2 кгц. [21]

Динамическое сопротивление кремниевого транзистора типа П103 в случае однополярного управления при температуре 20 С, как видно из рис. 1 - 39, превышает 1 Мом. Полный коэффициент преобразования рассматриваемой схемы модулятора при применении кремниевого транзистора типа П103 равен Ки 0 57 и практически не будет отличаться от значения Ки этой схемы при использовании в ней идеального ключа. [22]

Переходные процессы при запирании транзистора типа П102. [23]

На рис. 2 - 34 представлены кривые переходного процесса при однополярном управлении для транзистора типа П403, подтверждающие высказанное соображение. [24]

С) практически всегда больше двух-трех мегом, что позволяет использовать однополярное управление кремниевыми транзисторами в указанном диапазоне температур в подавляющем большинстве случаев. [25]

Кривые рис. 1 - 39 позволяют сделать некоторые выводы о возможности использования однополярного управления в схемах транзисторных модуляторов. [26]

Схема транзисторного модулятора. [27]

Вследствие этого большое внимание поихо-дится уделять выбору типа транзистора, особенно в случае однополярного управления. [28]

В двигателях конструкции ЭНИМС достигнуто наиболее высокое быстродействие в классе трехфазных ШД с однополярным управлением. [29]

Заметим, что по величине динамического сопротивления закрытого транзистора в инверсном включении при однополярном управлении можно точно определить величину начальных токов p - n - переходов транзистора. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5